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      標簽　>　gan

      gan

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      文章：1679個 瀏覽：73561次 帖子：159個

      gan技術

      GaN成為半導體界矚目的焦點

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      2017-10-11 標簽：GaN 8715 0

      GaN直流設計相對于POL有何優勢？

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      2018-07-10 標簽：ganpol 792 0

      集成氮化鎵（GaN）為我們帶來了什么？

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      在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴格的柵極環路設計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一...

      2018-07-10 標簽：gan 6139 0

      LMG3410：方波波形開關節點幾乎完美，你值得擁有

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      所有功率級設計者期望在開關節點看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應力。

      2018-07-10 標簽：ti方波gan 3246 0

      解讀射頻GaN市場的機遇及未來發展

      今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業市場。 GaN已經在大部分高功率軍事應用中站穩了腳跟，并且還抓住了...

      2016-12-14 標簽：射頻氮化鎵gan 4741 0

      安森美半導體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

      氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于功率因數...

      2016-06-28 標簽：安森美氮化鎵GaN 2741 0

      如何用集成驅動器優化氮化鎵性能？

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      氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關...

      2016-06-06 標簽：驅動器氮化鎵GaN 2741 0

      用集成驅動器優化GaN性能

      氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關...

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      確定GaN產品可靠性的綜合方法

      　　TI正在設計基于GaN原理的綜合質量保證計劃和相關的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關具有令人興奮且具有突破...

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      實現更加高效的電力轉換是應對當前增長的人口和能源需求的一個關鍵技術目標。能夠有效推動這一目標達成的重要創新就是在電源應用中使用氮化鎵 （GaN）。

      2015-04-08 標簽：LED照明SMPSGaN 2170 0

      導入Cascode結構　GaN FET打造高效率開關

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      射頻（RF）應用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業界的重點開發面向為電力電子應用的經濟型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導體公司都在積極開發幾種...

      2014-01-10 標簽：場效應管GaNCascode 1.0萬 1

      利用SiC和GaN實現AC-AC轉換器薄型化

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      　最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現。此次邀請了安川電機，針對采用SiC功率元件的AC-AC轉換器以及采用GaN功率元件的功...

      2013-09-22 標簽：SiCGaNAC-AC轉換器 1639 0

      大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

      近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統、高頻與大功率之微波電子元件等商業用途。然而...

      2013-06-06 標簽：LCD氮化鎵GaN 2545 0

      功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞

      功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二...

      2013-03-07 標簽：SiCGaN功率半導體 4852 0

      基于氮化鎵的LED具有更低成本效益

      過去在電子工業中知名的普萊思半導體有限公司，已交付到能夠一次處理7個6英寸的晶片的Aixtron（愛思強）公司，并用于生產高亮度LED。普萊思正在利用自...

      2012-07-31 標簽：LED氮化鎵晶片 1818 0

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