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gan技術

基于AC驅動的電容結構GaN LED模型開發(fā)和應用

隨著芯片尺寸減小，微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅動高密度集成的難題，傳統(tǒng)直流(DC)驅動技術會導致結溫上升，降低器件壽命。

2024-09-07 標簽：半導體電容 GaN 358 0

功率GaN：高效功率轉換的需求

隨著社會壓力不斷增大，越來越多的立法要求減少二氧化碳的排放。這一趨勢推動汽車、電信等行業(yè)加大投資，以提高電源轉換效率和電氣化水平。功率氮化鎵(GaN)技...

2023-02-09 標簽：電動汽車逆變器 GaN 353 0

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進方法主要包括以下幾個方面：一、晶圓片制備優(yōu)化多次減薄處理：采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進行多次減薄處理，可...

2024-12-06 標簽：GaN 石英玻璃碳化硅 339 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標簽：半導體充電器氮化鎵 337 0

SiC 技術相對于 Si 具有不可否認的優(yōu)勢

在逆變器、電機驅動和充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標簽：MTTF SiC GaN 326 0

嵌入PCB術語拓展

一、術語 1、SiP：System-in-Package SiP是一種先進的封裝技術，它將多個半導體器件、集成電路（IC）或其他電子組件，以及必要的輔助...

2025-01-08 標簽：pcb SiP qfn 325 0

電源管理芯片U8733產(chǎn)品概述

驅動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調節(jié)驅動電流的檔位，從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8...

2024-12-30 標簽：封裝 FET GaN 323 0

如何從零開始構建深度學習項目？（如何啟動一個深度學習項目）

性能重大提升的背后往往是模型設計的改變。不過有些時候對模型進行微調也可以提升機器學習的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應任務的基準測試結果。

2024-01-11 標簽：GaN 機器學習數(shù)據(jù)集 321 0

SiC FET改進和應用程序挑戰(zhàn)

從人類的角度來看，幾代人過得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導體...

2023-02-17 標簽：FET SiC GaN 316 0

氮化鎵快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...

2024-10-30 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 313 0

淺談GAN在汽車里面的應用案例

從全球來看，豪華電動汽車趨向于采用800V系統(tǒng)，核心優(yōu)勢是電流小（銅線少）、更低的傳導損耗和更快的充電速度。芝能認為2025年，中國的15萬在研產(chǎn)品都會...

2023-10-07 標簽：電動汽車汽車電子 GaN 313 0

SiC和GaN市場未來如何發(fā)展

氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細分領域，相關材料企業(yè)有晶湛半導體、進化半導體、鎵仁半導體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達12億人民幣，投資方...

2024-01-10 標簽：智能電網(wǎng)光伏 SiC 311 0

競爭籌碼幾何？GaN和SiC是共存還是替代呢？

如今，追求功率密度和效率是當今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動力，包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費電子產(chǎn)品、電動汽車和自動駕駛汽車等。

2023-10-17 標簽：電動汽車 SiC GaN 304 0

GaN如何在電子工程行業(yè)掀起一場革命

GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關應用。

2023-01-29 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 301 0

BiGaN開關在廣泛電源管理中的應用

保護USB端口、為來自不同源的設備切換電路、以及高側負載開關免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導通。到目前為止，設計人員只能使用兩個N型MOSFE...

2024-10-24 標簽：MOSFET 電源管理 GaN 282 0

安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點

GaN功率器件的應用在消費類產(chǎn)品電源近年相當普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點和用量遞增，也逐漸延伸到服務器和工業(yè)電源領域。安森美（onse...

2024-11-15 標簽：安森美功率器件 GaN 255 0

45W電源芯片U8765的高壓啟動功能

高壓啟動是電源芯片在工作中啟動的一種方式，通常是在電源芯片啟動時加入一個高壓信號，使其能夠快速地進入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓啟動...

2024-12-12 標簽：驅動電路 GaN 電源芯片 235 0

PD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗

YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術的零反向恢復特性(因為不存在體二極管)導致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時間，從而降低了死區(qū)...

2024-11-01 標簽：二極管 GaN 快充芯片 219 0

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們...

2025-01-16 標簽：MOS 功率器件 GaN 67 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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