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二維材料異質外延GaN及其應用探索

傳統的GaN異質外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術也有待進一步提高。

2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯 GaN 917 0

四種將被氮化鎵革新電子設計的中壓應用

除了業界已經采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...

2024-03-15 標簽：逆變器電池電壓氮化鎵 4689 0

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測量應用

隨著現代電力電子的高速發展，SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛，工程師經常要測量頻率高達數百 kHz，電流高達數十安培的功率電路。

2024-03-13 標簽：功率器件 SiC GaN 1165 0

半導體襯底和外延有什么區別？

襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。

2024-03-08 標簽：GaN 單晶硅半導體制造 1662 0

新型隔離式Σ-Δ調制器如何提高和增強系統電流測量精度

最新的隔離式調制器通過優化內部模擬設計和使用最新斬波技術來改善失調和增益誤差相關的性能，這極大地簡化了系統設計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標簽：adc SiC 調制器 718 0

集成柵極驅動器的GaN ePower超快開關

氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續獲得關注，但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數還有很大的提升空間，但GaN...

2024-03-05 標簽：氮化鎵 GaN 激光驅動器 3006 0

適配MOSFET柵極驅動器以驅動GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優勢，為電力電子產業帶來了革命性的變化。然而，GaN技術的快速發展有時超出了專門為GaN設計的柵...

2024-02-29 標簽：MOSFET GaN 柵極驅動 909 0

為什么GaN被譽為下一個主要半導體材料？

擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優勢，但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。

2024-02-29 標簽：CMOS NMOS 半導體材料 418 0

目前存在哪些與800V電動汽車動力總成架構有關的設計和測試挑戰

電動汽車 (EV) 普及率的上升激發了市場對優化設計、降低成本和提升車輛運行效率的需求，并為產品測試提出了新的難題。

2024-02-19 標簽：電動汽車逆變器功率轉換器 985 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 1488 0

LED顯示屏是什么材質 led顯示屏參數設置

LED顯示屏是一種基于LED（Light Emitting Diode）技術的顯示裝置，用于在各種場合中展示文字、圖像、視頻等內容。它由多個LED像素點...

2024-02-03 標簽：LED顯示屏參數半導體材料 4175 0

寬帶隙半導體重塑交通運輸行業

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個交通運輸行業正在經歷一場徹底的變革，內燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標簽：二極管半導體 SiC 1098 0

使用 GaN 器件可以減小外置醫用 AC/DC 電源的體積

作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是...

2024-02-13 標簽：電源 DC GaN 764 0

一種結合了SiC和GaN優勢的晶體管

這是電力電子領域令人興奮的時代。在硅占據主導地位數十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數十億美元的市場。例如，碳化硅現在是電動汽...

2024-01-18 標簽：半導體晶體管 SiC 385 0

10項優化GaN PCB的建議

自從 40 多年前，第一款開關電源問世以來，PCB 的布局就一直是電力電子設計中不可或缺的一環。無論采用哪種晶體管技術，我們必須理解和管理 PCB 布局...

2024-01-16 標簽：pcb 晶體管 GaN 523 0

如何從零開始構建深度學習項目？（如何啟動一個深度學習項目）

性能重大提升的背后往往是模型設計的改變。不過有些時候對模型進行微調也可以提升機器學習的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應任務的基準測試結果。

2024-01-11 標簽：GaN 機器學習數據集 320 0

氮化鎵芯片用途有哪些

氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領域有著廣泛...

2024-01-10 標簽：芯片半導體材料氮化鎵 1646 0

氮化鎵是什么化合物類型

氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業應用領域中具有廣泛的應用。氮化鎵是...

2024-01-10 標簽：傳感器光電器件化合物 1660 0

SiC和GaN市場未來如何發展

氮化鎵融資方面，今年融資數量最多的反倒是材料細分領域，相關材料企業有晶湛半導體、進化半導體、鎵仁半導體。其中士蘭明鎵融資規模最大，達12億人民幣，投資方...

2024-01-10 標簽：智能電網光伏 SiC 308 0

氮化鎵的發展難題及技術突破盤點

同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度...

2024-01-10 標簽：半導體氮化鎵 MOCVD 2058 0

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