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#參考設計#(900 V PowiGaN 開關)的 60 W 隔離反激式適配器
使用 InnoSwitch3-EP(900 V PowiGaN 開關)的 60 W 隔離反激式適配器 *附件:DER-982 60W 12V5A 90-...
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣雷達中,需要高功率的射頻信號來驅動每個天線元素,這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進行有效的...
為方便開發者練習和使用,DeepMind 今天又公開了 BigGAN 的 TensorFlow Hub,順帶還提供了在 Colab 上的 demo,開發...
#參考設計#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源
72 W隔離反激式電源,適用于采用InnoSwitch 4-QR(INN 4275 C-H186)高頻準諧振開關IC的電器,可實現最小Transform...
氮化鎵(GaN)被認為是自硅以來影響最大的半導體創新產品,該材料能夠在比傳統半導體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率,因此基于GaN的R...
low是一種可逆生成模型(reversible generative model),也被稱為基于流的生成模型(flow-based generative...
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優點,從而可以采用氮化鎵制作半導體材料,而得到氮化鎵半導體器件。 目...
麻省理工的工程師們開發出一種新的技術,這種技術除了硅以外還可以使用其他一系列特殊材料制成超薄半導體薄膜。為了展示他們的技術,研究人員使用砷化鎵、氮化鎵和...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應用PCB layout 作者 :馬坤 郵箱:kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應用電路圖...
目前,氮化鎵(GaN)技術已經不再局限于功率應用,其優勢也在向射頻/微波行業應用的各個角落滲透,而且對射頻/微波行業的影響越來越大,不容小覷。因為它可以...
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