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標(biāo)簽 > gan
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對(duì)于工程師來說,設(shè)計(jì) GaN PA 的第一步就是獲得半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè) ;第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設(shè)計(jì)工程師還可以利用測得的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)...
浙江大學(xué)近期首次報(bào)道了沒有電流折疊(即沒有動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻降低)的垂直GaN功率整流器(GaN-on-GaN)。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到5...
應(yīng)用筆記——GaN偏置電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則
本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記,雖然標(biāo)題是針對(duì)GaN偏置電路設(shè)計(jì)的一些基本準(zhǔn)則,但實(shí)際上對(duì)GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)...
2023-05-10 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管偏置電路 5387 0
生物統(tǒng)計(jì)學(xué)家Alexia Jolicoeur-Martineau發(fā)表了一篇令人矚目的論文,她指出現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)GAN(SGAN)訓(xùn)練生成器時(shí),不僅應(yīng)該提高偽...
2018-07-07 標(biāo)簽:GAN 5360 0
什么是氮化鎵(GaN)?GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火?如果再有人這么問你,你可以這樣回答:因?yàn)槲覀冸x不開電源。
2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 5322 0
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計(jì)
為了擴(kuò)大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲(chǔ)和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用(圖 3),TI 正在展示其自己的對(duì)流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺(tái)。 該平臺(tái)...
基于生成網(wǎng)絡(luò)(GAN)來輔助藝術(shù)家進(jìn)行更具創(chuàng)意的設(shè)計(jì)項(xiàng)目
該項(xiàng)目的目標(biāo)不是制造一把功能性椅子,而是為人類設(shè)計(jì)師創(chuàng)造一個(gè)激發(fā)靈感的“視覺提示”,為了探索了如何讓機(jī)器學(xué)習(xí)用作藝術(shù)和設(shè)計(jì)工具來啟發(fā)人的思維,就像超現(xiàn)實(shí)...
2018-09-28 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN數(shù)據(jù)集 5318 0
SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案
驅(qū)動(dòng) SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整,彼此配合。于是這里的設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 標(biāo)簽:功率開關(guān)SiCGaN 5315 0
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...
是十款各具特色的GANs,深入了解其數(shù)學(xué)原理
InfoGAN是生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)信息理論的擴(kuò)展,能夠以完全非監(jiān)督的方式得到可分解的特征表示。它可以最大化隱含(latent)變量子集與觀測值之間的互信息(m...
2018-07-20 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 5278 0
能不能用GAN破解標(biāo)注數(shù)據(jù)不足的問題呢
在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域,深度學(xué)習(xí)方法已全方位在各個(gè)方向獲得突破,這從近幾年CVPR 的論文即可看出。但這往往需要大量的標(biāo)注數(shù)據(jù),比如最著明的ImageNet數(shù)...
2019-07-14 標(biāo)簽:GAN計(jì)算機(jī)視覺大數(shù)據(jù) 5231 0
生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN很強(qiáng)大,但也有很多造成GAN難以使用的缺陷。本文介紹了可以克服GAN訓(xùn)練缺點(diǎn)的一些解決方案,有助于提高GAN性能。
2019-02-13 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN 5216 0
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)(ICE)到全電動(dòng)未來的巨變。VisIC Technologies的功率...
2021-03-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器GaN 5177 0
LMG5200開關(guān)節(jié)點(diǎn)的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)
當(dāng)測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...
硅基GaN為固態(tài)射頻能量應(yīng)用帶來更多可能
等離子燈自發(fā)明以來便由磁控管供電,磁控管的平均壽命預(yù)計(jì)在500至1000小時(shí)。在評(píng)估等離子燈的價(jià)值時(shí),這是一個(gè)重要的考慮因素。對(duì)此,美國海軍天文臺(tái)提供...
控制、驅(qū)動(dòng)、檢測高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換
了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級(jí)控制拓?fù)鋪斫鉀Q面臨的挑戰(zhàn)。
GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
谷歌開源TFGAN輕量級(jí)的工具庫 目的是讓訓(xùn)練和評(píng)估GAN變得更加簡單
三年前,蒙特利爾大學(xué) Ian Goodfellow 等學(xué)者提出「生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)」(Generative Adversarial Networks,GAN...
一種基于GAN的圖到圖轉(zhuǎn)換方法,可以檢測出圖片中的敏感區(qū)域
圖像到圖像轉(zhuǎn)換是一類經(jīng)典計(jì)算機(jī)視覺問題,按照一般方法,研究人員需要對(duì)齊訓(xùn)練集圖像,讓模型學(xué)習(xí)輸入圖像和輸出圖像之間的映射。但在這個(gè)問題下找到成對(duì)圖像基本...
2018-07-25 標(biāo)簽:圖像GAN數(shù)據(jù)集 4961 0
如何采用不同封裝技術(shù)構(gòu)建高性能GaN設(shè)備
使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開關(guān)電場可占據(jù)封裝上方和周圍的空間,因此組裝使用GaN FET用于無線系統(tǒng)的系統(tǒng)對(duì)于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于...
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