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聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

新能源汽車的發展蒸蒸日上，對于半導體器件的要求，不僅僅是功率半導體都提出了更好的需求。作為功率半導體行業No.1的英飛凌也給我們呈現了多樣性的發展態勢，...

2023-09-15 標簽：英飛凌半導體 SiC 3999 0

硅基氮化鎵未來發展趨勢分析

GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標簽：射頻無線電氮化鎵 1388 0

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用？

如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 490 0

IGBT的結構和應用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統”技術，但它在高功率應用中仍然發揮著重要作用。

2023-09-11 標簽：半導體 IGBT SiC 936 0

氮化鎵的市場在哪些領域？封裝技術是怎樣的？

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數高、開關頻率高、抗輻射能力強等優點。其中，高開關頻率意味著應用電路...

2023-09-07 標簽：封裝技術氮化鎵 GaN 537 0

通過單片GaN集成提高性能，同時減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內的氮化鎵（GaN）異質結場效應功率晶體管已被證明在功率轉換、電機驅動和激光雷達脈沖光等應用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標簽：emi 雷達柵極 9592 0

半導體材料的發展階段

作為“二十世紀最重要的新四大發明”之一，半導體的重要性不言而喻。從電子產品到航空航天，從人工智能到生物醫學，半導體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標簽：半導體半導體材料 SiC 1144 0

氮化鎵(GaN)技術創新概況氮化鎵襯底技術是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標簽：半導體材料氮化鎵 GaN 971 0

GaNFast氮化鎵功率芯片有何優勢？

納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護...

2023-09-01 標簽：充電器氮化鎵 GaN 1025 0

量產GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導體制造設備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...

2023-08-25 標簽：半導體晶圓功率器件 899 0

友尚推出基于ST ViperGaN50 的先進準諧振反激式高效能高密度15V/3A 45W GaN功率電源轉換器

一款基于 VIPERGAN50 的隔離式電源是一款新型離線高壓轉換器，具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶體管，專為準諧振反激式轉換器設計，能夠...

2023-04-21 標簽：轉換器意法半導體 GaN 892 0

基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標準的參考電源設計

專門設計來控制ZVS非互補有源的鉗式反激(ACF)轉換器，以創建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。

2023-04-04 標簽：意法半導體 GaN 快充 925 0

基于ST 意法半導體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意法半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體...

2023-03-16 標簽：意法半導體 GaN Type 980 0

氮化鎵襯底和外延片哪個技術高襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料，具有優異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...

2023-08-22 標簽：功率放大器半導體材料氮化鎵 4195 1

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第三代半導體均比硅材料優秀，因此，第3代半導體的...

2023-08-18 標簽：led 半導體氮化鎵 798 0

電腦電源為什么不用氮化鎵氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

雖然GaN在功率器件領域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術和經濟上的挑戰，使得它在電腦電源領域的應用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前，GaN的制造...

2023-08-17 標簽：充電器功率器件氮化鎵 1.1萬 0

數明半導體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅動器介紹

數明半導體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅動，而SiLM824...

2023-08-15 標簽：驅動器功率器件 GaN 1379 0

華林科納的化合物半導體異質集成

定制化合物半導體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對電子、光電子、自旋電子學、生物傳感和光伏的各個領域產生潛在影響。這篇綜述簡要描...

2023-08-14 標簽：半導體晶體管 GaN 771 0

下一代射頻芯片工藝路徑是什么樣的

在建模實驗中，imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實現的性能：全 CMOS 實現、帶有 SiGe 異質結雙極晶體管 (HB...

2023-08-14 標簽：功率放大器移動通信 GaN 761 0

下一代射頻芯片工藝路在何方？

年復一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數據。為了跟上這一趨勢并使數據傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業界已經在關注未來...

2023-08-14 標簽：CMOS 功率放大器發射器 1478 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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