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      標簽　>　gan

      gan

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      gan資訊

      安世半導體宣布推出新款GaN FET器件

      基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和...

      2023-12-13 標簽：半導體FETGaN 990 0

      晶湛半導體完成數億元C+輪融資

      據晶湛半導體消息，晶湛半導體業界公認的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術開拓者程凱博士將于2012年3月回國創業。國際先進的氮化鎵外延材料開發和產業化基地

      2023-12-11 標簽：半導體氮化鎵GaN 653 0

      基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設備與工藝技術

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      第三代半導體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、良好的化學穩定性等特點，被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件...

      2023-12-09 標簽：半導體功率器件氮化鎵 2073 0

      高導熱GaN/金剛石結構制備及器件性能研究

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      近日，第九屆國際第三代半導體論壇&第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門國際會議中心召開。

      2023-12-09 標簽：半導體功率器件GaN 1503 0

      GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

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      近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化鎵功率電子器件技術分論壇...

      2023-12-09 標簽：反相器晶體管GaN 1749 0

      Si基GaN器件及系統研究與產業前景

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      2023-12-09 標簽：充電器氣體傳感器氮化鎵 1063 0

      GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器研究

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      以GaN為代表的第三代半導體具有高擊穿電場，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件領域具有巨大的性能優勢。

      2023-12-09 標簽：晶體管諧振器GaN 1364 0

      增強型功率氮化鎵器件結構設計進展

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      2023-12-09 標簽：電動汽車氮化鎵GaN 1525 0

      助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

      GaN性能優異，在光電子、微電子器件應用廣泛，發展潛力巨大；進一步發展，需提升材料質量，制備高質量氮化鎵同質襯底。

      2023-12-09 標簽：激光器GaN載流子 1301 0

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      GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

      2023-12-07 標簽：晶體管GaNHEMT 1043 0

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      2023-12-06 標簽：變換器功率器件GaN 926 0

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      2023-12-01 標簽：德州儀器低功耗氮化鎵 1495 0

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      GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導通電阻的特性，近來在功率開關應用中引起了廣泛關注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質...

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      最近，俄羅斯和印度新增了2個碳化硅項目，其中俄羅斯的碳化硅模塊項目是由“中國最大的制造商之一”投資建設的

      2023-11-25 標簽：晶圓SiC功率模塊 1368 0

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      2023-11-25 標簽：晶圓SiCGaN 1286 0

      LTC7891的GaN 400W電源模塊

      LTC7891的GaN 400W電源模塊

      本次與大家分享的是世健和ADI聯合舉辦的《在ADI電源產品的花園里“挖呀挖”》主題活動的一等獎文章：《LTC7891的GaN400W電源模塊》及作者獲獎...

      2023-11-23 標簽：電源adiGaN 895 0

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