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德州儀器日本會津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體
近日,德州儀器(TI)宣布了一個重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)...
2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器GaN功率半導(dǎo)體 462 0
隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
德州儀器日本會津工廠啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)
德州儀器(TI)宣布,其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...
克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來電力電子應(yīng)用
幾十年來,硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限...
納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場,幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也...
華碩ROG Thor III PSU:1600W額定功率,配備磁性O(shè)LED顯示屏
華碩推出了全新的旗艦級PC電源系列——ROG Thor III PSU系列,該系列包括1000W、1200W和1600W三種不同容量的型號。這些電源均采...
近日,GaN行業(yè)迎來了一項(xiàng)重要突破,一家名為遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級高達(dá)3300V。這一消息于10月18日由“...
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實(shí)現(xiàn)每月9000片6英...
近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布了一項(xiàng)重要決策,將在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺積電的合作。據(jù)悉,羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)GaN功率...
SiC和GaN:新一代半導(dǎo)體能否實(shí)現(xiàn)長期可靠性?
近年來,電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中,SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強(qiáng)大未來的重要力量。...
功率半導(dǎo)體各品類及下游應(yīng)用市場空間分析
功率半導(dǎo)體發(fā)展過程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60-70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世...
2024-09-27 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 546 0
基于GaN參考設(shè)計(jì)的1.6kW雙向微型逆變器
參考設(shè)計(jì)展示了一款具有儲能能力的四輸入雙向1.6kW GaN基微型逆變器。 *附件:原理圖.zip *附件:BOM.zip *附件:Gerber.zip...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
三菱電機(jī)發(fā)布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...
今日看點(diǎn)丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術(shù)
1. 英飛凌推出全球首創(chuàng)12 英寸GaN 晶圓技術(shù) ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產(chǎn)GaN芯片,該技術(shù)為世界首創(chuàng),希望滿...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動行業(yè)變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN...
信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓,加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸)晶圓,標(biāo)志著公司在高性能半...
聚焦綠色能源四大細(xì)分市場,英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會
在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動交通、智能家居...
8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌,在深圳盛大亮相“2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)”,以“數(shù)...
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