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第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用

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2024-10-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN是德科技 591 0

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2024-10-26 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵GaN 657 0

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9月,英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化鎵(GaN)晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比,每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片,技術(shù)和效...

2024-10-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 743 0

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2024-10-23 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率芯片 946 0

華碩ROG Thor III PSU:1600W額定功率,配備磁性O(shè)LED顯示屏

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2024-10-22 標(biāo)簽:電源華碩PC 426 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體投資15億建3條芯片線

近日,GaN行業(yè)迎來了一項(xiàng)重要突破,一家名為遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件,其電壓等級高達(dá)3300V。這一消息于10月18日由“...

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方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片

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羅姆宣布全面委托臺積電代工GaN產(chǎn)品

近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布了一項(xiàng)重要決策,將在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺積電的合作。據(jù)悉,羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)GaN功率...

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近年來,電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中,SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強(qiáng)大未來的重要力量。...

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今日看點(diǎn)丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術(shù)

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信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓,加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

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英飛凌亮相PCIM Asia 2024

8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌,在深圳盛大亮相“2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)”,以“數(shù)...

2024-09-03 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體GaN 567 0

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