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首個在6英寸藍寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發布
近日,廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關,通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規模應用,是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及,經過數年的發展,氮化鎵HEMT器件早已被...
據云塔科技消息,1月15日,中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃“戰略性科技創新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異...
港科大陳敬教授團隊成功研制一種融合GaN和SiC二者優點的實驗晶體管
在硅占據主導地位數十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數十億美元的市場。例如,碳化硅現在是電動汽車逆變器和充電器的首選半導體。如...
此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元(約合人民幣24.27億元)。此次收購將為瑞薩提供GaN(功率半導體的下一代關鍵材料)的內部技術。
2024-01-19 標簽:瑞薩GaNTransphorm 347 0
電子發燒友網報道(文/黃山明)隨著智能家居的發展,高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小,但同時能夠保證最好的性能,氮化鎵(Ga...
半導體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使...
近年,IQE開始涉足Micro LED領域,IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術儲備及規模化生產的能力,可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。
來源:Semiconductor Today 澳大利亞Silverwater的BluGlass Ltd基于其專有的低溫、低氫遠程等離子體化學氣相沉積(R...
Luminus Devices近日宣布,已與湖南三安半導體簽署了一項合作協議。根據協議,Luminus將成為湖南三安在美洲地區的獨家銷售渠道,負責銷售其...
瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領導者Transphorm宣布,雙方已達成最終收購協議。根據協議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Trans...
GaN巨頭NexGen Power Systems破產:垂直GaN市場面臨挑戰
NexGen認為,將垂直氮化鎵逆變器驅動系統引入電動汽車市場可以幫助汽車制造商提高續航里程、減輕重量并提高系統可靠性。
偉詮電在氮化鎵(GaN)快充市場迎來了新的機遇,因為日本集成設備制造商(IDM)瑞薩公司近期宣布成功收購美國GaN廠商Transphorm。這對偉詮電來...
此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術,從而將其業務范圍擴大到電動汽車、計算(數據中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源、工業電力轉換等快速增長的市場。
近期,大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上
三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiC和GaN功率半導體產品
1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道,...
瑞薩豪擲3.39億美元收購Transphorm,押寶GaN技術
在科技領域的巨浪中,瑞薩電子以35%的溢價宣告了一項重磅收購。1月11日,瑞薩電子正式宣布與氮化鎵(GaN)器件領導者Transphorm達成最終協議,...
2024-01-12 標簽:瑞薩GaNTransphorm 818 0
全球半導體解決方案供應商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方...
2024-01-12 標簽:瑞薩GaNTransphorm 725 0
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