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標(biāo)簽 > HBM
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先進(jìn)封裝技術(shù)-19 HBM與3D封裝仿真
先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 1 混合鍵合技術(shù)(上) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor ...
在電子領(lǐng)域,有一個(gè)常常被忽視卻又可能帶來(lái)巨大危害的“隱形殺手”——ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)。靜電放電產(chǎn)生的瞬時(shí)...
在芯片制造與使用的領(lǐng)域中,靜電是一個(gè)不容小覷的威脅。芯片對(duì)于靜電極為敏感,而HBM(人體模型)測(cè)試和CDM(充放電模型)測(cè)試是評(píng)估芯片靜電敏感度的重要手段。
ESD HBM測(cè)試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準(zhǔn)和維護(hù)水平不同、?環(huán)境條件差異、?測(cè)試樣本差異、?測(cè)試操作員技能和經(jīng)驗(yàn)差異以及測(cè)試方...
2024-11-18 標(biāo)簽:ESD測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 536 0
? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對(duì)不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...
在高性能圖形處理領(lǐng)域,內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù):高帶寬內(nèi)存(HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們?cè)诩軜?gòu)、性能特...
芯片封裝技術(shù)中不同術(shù)語(yǔ)的基本定義
在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件,尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...
眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開(kāi)創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨(dú)占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...
2024-09-23 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 848 0
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì),無(wú)需外加額外ESD保護(hù)電路情況下,都通過(guò) IEC E...
2024-04-24 標(biāo)簽:寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 1600 0
一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)
最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談?dòng)靡蕴W(wǎng)替代NVLink。
SK海力士與英偉達(dá)加速HBM研發(fā),供應(yīng)量已敲定
在2025年國(guó)際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 2025)期間,韓國(guó)SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源透露了與英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛的會(huì)面細(xì)節(jié)。雙方就高帶寬存儲(chǔ)器(HBM...
近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。這座工廠預(yù)計(jì)將于2026年正式投...
美光科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,美光科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,美光近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)...
SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對(duì)AI芯片市場(chǎng)旺盛需求
SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬(wàn)片增加至17萬(wàn)片,這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)...
2025年CES展:英偉達(dá)CEO黃仁勛將發(fā)表演講并可能進(jìn)行HBM對(duì)談
2025年美國(guó)消費(fèi)性電子展(CES)將于1月7日盛大開(kāi)幕,全球圖形處理器(GPU)巨頭英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛將在此次展會(huì)上發(fā)表專題演講,分享英偉達(dá)在技...
AI興起推動(dòng)HBM需求激增,DRAM市場(chǎng)面臨重塑
TechInsights的最新報(bào)告揭示了AI興起對(duì)高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...
SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片
? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? ...
SK 海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官
據(jù) Businesses Korea 報(bào)道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...
熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用
熱壓鍵合機(jī)TC Bonder(Thermal Compression Bonding)是一種用于半導(dǎo)體封裝過(guò)程中熱壓鍵合的專用設(shè)備。在高帶寬內(nèi)存(HBM...
芯片的HBM靜電都有哪些測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),各標(biāo)準(zhǔn)之間有沒(méi)有差異
在做芯片選型的時(shí)候,我們通常會(huì)對(duì)比各廠家芯片的ESD性能,比如A廠家芯片的HBM靜電指標(biāo)為2KV,B廠家的達(dá)到了4KV,如果在各方面條件都差不多的情況下...
2024-11-27 標(biāo)簽:芯片測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)HBM 1442 0
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