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hbm

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三星電子采用大規(guī)模回流模制底部填充技術(shù)嗎?

盡管面對AI熱潮及HBM需求的飆升,三星電子仍未與英偉達(dá)達(dá)成HBM芯片供應(yīng)協(xié)議。分析指出,其堅(jiān)持使用熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)制程,可能導(dǎo)致產(chǎn)能問題。

2024-03-13 標(biāo)簽:三星電子人工智能英偉達(dá) 588 0

三星效仿SK海力士,采用競爭對手主導(dǎo)的芯片封裝工藝

就此,知情人士指出,三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此,一家行業(yè)分析機(jī)構(gòu)表示,考慮到AI行業(yè)對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必...

2024-03-13 標(biāo)簽:AIHBM三星 526 0

從兩會看AI產(chǎn)業(yè)飛躍,HBM需求預(yù)示存儲芯片新機(jī)遇

從兩會看AI產(chǎn)業(yè)飛躍,HBM需求預(yù)示存儲芯片新機(jī)遇

高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成為主流趨勢。這表明,HBM芯片的需求在未來一段時(shí)間內(nèi)繼續(xù)保持旺盛,也將為相關(guān)企業(yè)提供了重要的機(jī)遇。

2024-03-12 標(biāo)簽:DRAMAI存儲芯片 702 0

全球三大存儲器廠商競逐新市場,華邦臺灣廠搶先提價(jià)

行業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,華邦對DDR3報(bào)價(jià)的大幅調(diào)整有利于其基本面的表現(xiàn),有實(shí)力的供應(yīng)商如鈺創(chuàng)和晶豪科或許也能順應(yīng)此輪漲勢實(shí)現(xiàn)盈利增長。他們認(rèn)為,人工智能已成為...

2024-03-11 標(biāo)簽:供應(yīng)商人工智能HBM 759 0

三星強(qiáng)化HBM工作團(tuán)隊(duì)為永久辦公室,欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?

這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機(jī),并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運(yùn)用吸引了大量訂單。

2024-03-10 標(biāo)簽:存儲器SK海力士HBM 1881 0

大漲221%!全球DRAM市場六大廠商全面實(shí)現(xiàn)營收正增長

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內(nèi)存(DRAM)市場正在迎來一波上漲潮。

2024-03-08 標(biāo)簽:處理器DRAMHBM 1130 0

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星...

2024-03-08 標(biāo)簽:三星電子存儲器HBM 708 0

SK海力士加大對先進(jìn)芯片封裝投入

SK海力士作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正積極響應(yīng)市場需求的變化,并敏銳地把握住了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的增長潛力。隨著數(shù)據(jù)處理速度需求的提升,HBM以其...

2024-03-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SK海力士HBM 601 0

SK海力士斥資10億美元,加碼先進(jìn)芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求

據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴(kuò)充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞...

2024-03-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SK海力士HBM 721 0

HBM良率問題影響AI芯片產(chǎn)量

在以臺積電與三星代工為首的諸多企業(yè)中,長期以來,保持硅晶圓高效產(chǎn)出的良品率一直是個(gè)難題。然而,這個(gè)難關(guān)如今已經(jīng)蔓延至HBM行業(yè)。

2024-03-07 標(biāo)簽:臺積電硅晶圓HBM 757 0

HBM究竟是什么呢?為何在AI時(shí)代如此火熱?

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今天我們聊聊GPU背后的女人,不對,是背后的大贏家-HBM。

2024-03-06 標(biāo)簽:處理器嵌入式系統(tǒng)TVS 4720 0

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HBM的競爭才剛剛開始。

2024-03-05 標(biāo)簽:DRAM存儲器人工智能 622 0

三星擬在DRAM中運(yùn)用模壓填充技術(shù)提升性能

依照測試結(jié)果,三星認(rèn)為MUF并不適應(yīng)于HBM,但對于3DS RDIMM卻具有極高的適用性。目前,3DS RDIMM使用的是硅通孔(TSV)技術(shù),主要服務(wù)...

2024-03-04 標(biāo)簽:rdimmHBM三星 538 0

AI時(shí)代勢不可擋,HBM價(jià)格飆升突顯其核心價(jià)值

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與傳統(tǒng)的DRAM相比,HBM擁有更高的數(shù)據(jù)容量和更低的功耗,使其成為需要高性能和高效率的人工智能應(yīng)用程序的理想選擇。 一位業(yè)內(nèi)人士表示,在人工智能計(jì)算...

2024-03-01 標(biāo)簽:amdDRAM人工智能 366 0

OLED被列入韓國國家戰(zhàn)略技術(shù),最高稅收抵免50%

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韓國政府正在擴(kuò)大稅收支持,將高帶寬存儲器(HBM)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和氫相關(guān)設(shè)施納入韓國國家戰(zhàn)略技術(shù)。

2024-02-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲器有機(jī)發(fā)光二極管 981 0

美光搶灘市場,HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

除了GPU,另一個(gè)受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù),能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲,這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處...

2024-02-29 標(biāo)簽:gpu美光人工智能 418 0

美光宣布開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存 功耗比競爭對手產(chǎn)品低30%

存儲三強(qiáng)的競爭更加激烈了。

2024-02-28 標(biāo)簽:DDR美光HBM 901 0

三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達(dá)36

三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜(TC NCF)技術(shù),成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。

2024-02-27 標(biāo)簽:芯片HBM三星 1193 0

“網(wǎng)紅”芯片Groq讓英偉達(dá)蒸發(fā)5600億

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鑒于ChatGPT的廣泛應(yīng)用,引發(fā)了AI算力需求的迅猛增長,使得英偉達(dá)的AI芯片供不應(yīng)求,出現(xiàn)大規(guī)模短缺。如今,英偉達(dá)似乎在面對更多挑戰(zhàn)。

2024-02-27 標(biāo)簽:存儲器英偉達(dá)HBM 1195 0

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HB...

2024-02-27 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存HBM 1089 0

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  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號,通過光纖傳送后,接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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    +關(guān)注
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    OBD
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    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會馬上發(fā)出警示。
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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