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預估2024年HBM位元供給年增105%,多數產能明年Q2陸續開出
報告預測說,到2023年至2024年是AI建設熱潮時期,因此,隨著對AI訓練用芯片的需求集中,hbm使用量會增加,但隨著今后轉換為推論,AI訓練用芯片和...
三星電子近期宣布,其與全球多家合作伙伴在高帶寬內存(HBM)產品的供應測試上進展順利。該公司表示,將繼續致力于提升所有產品的質量和可靠性,確保為客戶提供...
英偉達2025年計劃發布Blackwell Ultra與B200A,或大幅提升HBM消耗量
根據TrendForce最新發布的HBM市場研究報告,隨著人工智能(AI)芯片技術的持續迭代升級,單顆芯片所集成的HBM(高帶寬內存)容量正顯著增長。英...
美光執行副總裁兼首席商務官薩達納(Sumit Sadana)稱,公司已實現HBM3E的市場首發和卓越性能,同時能耗具有顯著優勢,使公司在AI加速領域穩占...
三星透露HBM3E芯片英偉達認證取得進展,預計Q4向客戶供應
據一位高級管理人員透露,三星電子在英偉達AI內存芯片認證方面取得了新進展,這一消息促使這家韓國科技巨頭的股價攀升了3.6%。 三星正積極爭取其...
近日,國際知名評級機構標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發行人信用及發行評級從BBB...
三星電子正面臨嚴峻挑戰,特別是在其半導體業務領域。除了代工業務停滯的問題,該公司在高帶寬存儲器(HBM)市場的競爭力也引發了廣泛關注。據業內人士透露,...
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲(HBM)產品未達英偉達品質標準的傳聞,三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題,并稱三星的HBM產品尚未經過英偉達...
從需求端審視,通貨膨脹的壓力以及AI個人電腦應用場景的匱乏,共同制約了大規模升級周期的到來。在供應端,主要制造商在第三季度全面恢復了滿負荷生產,而其他供...
HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內存技術革新
隨著生成式AI技術的迅猛發展和大模型參數量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切,這直接推動了高帶寬內存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性...
內存巨頭領跑2024年Q1半導體IDM營收,HBM需求成關鍵驅動
根據最新IDC報告,2024年第一季度半導體IDM企業營收榜單揭曉,三大內存原廠三星電子、SK海力士與美光科技以強勁表現,占據榜單前四中的三席,彰顯了它...
SK海力士預計今年 HBM 芯片出貨量 2030 年可達 1 億顆
11 月 14 日消息,SK 海力士副會長兼聯席 CEO 樸正浩透露,今年公司高帶寬內存(HBM)出貨量大幅增加,預計到 2030 年將達到每年 1 億...
三星電子近期發布預測,指出全球HBM(高帶寬內存)需求正迎來爆發式增長。據三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預測的12...
近日,SK海力士(SK hynix Inc.)宣布了一項重大技術進展——其異構內存軟件開發工具包(HMSDK)的核心功能已成功集成至全球最大的開源操作系...
HBM供應商議價提前,2025年HBM產能產值或超DRAM 3分
至于為何供應商提前議價,吳雅婷解釋道,首先,HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀;其次,HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%,買家期望獲得品...
但三星電子發表聲明予以否認,堅稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測試工作,并持續與其他商業伙伴緊密合作,保證產品質量與可靠性。
8月7日,市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關注。然而,三星電子對此事態的反應卻顯得較為...
三星電子公司近日宣布了一項重大投資決策,計劃擴建其位于韓國忠清南道的半導體封裝設施,以提高高帶寬存儲器(HBM)的產量。這一舉措標志著三星在HBM市場領...
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