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英偉達宣布推出新一代GPU Blackwell,SK海力士已量產HBM3E
在英偉達GTC 2024大會上,英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell,第一款Blackwell芯片名為GB200,將于今年晚些時候上市。
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中,展現出強大的增長勢頭。數據顯示,公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收...
業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方...
今日看點丨歐盟正式對中國新能源車加征關稅;三星電子改組,新設HBM芯片獨立研發團隊
1. 上汽仍為頂格受罰,歐盟正式對中國新能源車加征關稅 ? 7月4日報道稱,歐盟委員會決定對來自中國的電動汽車進口征收臨時反補貼稅,其中,比亞迪為17....
三星開創性研發出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達36
三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜(TC NCF)技術,成功維持了12層產品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現有的HBM封裝要求。
對此,三星在聲明中回應道,HBM為定制化內存產品,需依據客戶需求進行優化流程。此外,他們正積極與客戶緊密合作以提升產品性能。對于具體客戶,三星并未作出評...
國芯科技(688262)。sh) 8月2日的投資者在互動平臺(interface),公司目前正在與合作伙伴一起流片驗證相關chiplet芯片高性能互聯I...
在近期舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產,而臺積電計劃利用其...
HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現有DRAM技術推向了新的高度。
高盛談HBM四年十倍市場 受益于AI服務器持續增長 AI需求爆發引發HBM存儲水漲船高,高盛認為HBM供不應求的情況未來幾年或將持續,高盛預計市場規模將...
近日,三星電子宣布,已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存(HBM3E)產品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解,HB...
英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存,為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
預計2023年第4季度移動DRAM的合約價格將上漲13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合約價格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預計...
三星電子報告2023年第四季度營業利潤下降35%至2.8萬億韓元(約合21.3億美元),而分析師平均預期為3.7萬億韓元;營業收入同比下降4.9%至...
中國科學家發表“大芯片”論文:國產256核RISC-V處理器
根據目前所探知的信息,Zhejiang是一個由16個小芯片構成,其中每片均包含16個RISC-V內核。研究人員指出,可以在單一獨立組件內增加100片這樣...
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