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近日,概倫電子宣布正式推出芯片級HBM靜電防護分析平臺ESDi和功率器件及電源芯片設計分析驗證工具PTM,并開始在國內外市場廣泛推廣。
三星電子近期宣布,其與全球多家合作伙伴在高帶寬內存(HBM)產品的供應測試上進展順利。該公司表示,將繼續致力于提升所有產品的質量和可靠性,確保為客戶提供...
然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年...
三星HBM研發受挫,英偉達測試未達預期,如何滿足AI應用GPU的市場需求?
據DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭,但在英偉達主導的HBM市場...
劍指HBM及AI芯片,普萊信重磅發布Loong系列TCB先進封裝設備
隨著Chat GPT的火爆,整個AI硬件市場迎來了奇點,除了GPU之外,HBM存儲也進入了爆發式的增長,根據TrendForce,2022年全球HBM容...
但三星電子發表聲明予以否認,堅稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測試工作,并持續與其他商業伙伴緊密合作,保證產品質量與可靠性。
三星電子近日宣布,其高帶寬內存(HBM)產品正在與全球多家合作伙伴進行順利的供應測試。這一進展標志著三星在半導體領域的持續努力與投入取得了積極成果。
針對媒體報道三星電子高帶寬存儲(HBM)產品未達英偉達品質標準的傳聞,三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題,并稱三星的HBM產品尚未經過英偉達...
對此,三星在聲明中回應道,HBM為定制化內存產品,需依據客戶需求進行優化流程。此外,他們正積極與客戶緊密合作以提升產品性能。對于具體客戶,三星并未作出評...
三星HBM芯片因發熱和功耗問題影響測試,與英偉達合作暫時擱淺
這是三星首次公開承認未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示,HBM是定制化存儲產品,需“依據客戶需求進行優化”,并強調正與客戶緊密合作以提升產品性能...
近日,三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露,芯片因發熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
美光與客戶簽下2025年HBM訂單,HBM內存預計擴增50%
為了滿足HBM領域的旺盛需求,美光決定將本財年的資本支出預算由原計劃的75~80億美元調整為80億美元(約合人民幣579.2億元)。
美光科技適度調整了2024年的資本開支預估,加大對高帶寬存儲(HBM)半導體生產線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領域日益旺盛的需求。
據市調機構TrendForce估算,市場對HBM需求呈現高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產能投片
在近日舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程進行生產,臺積電計劃使用其N12和...
AI芯片需求猛增,CoWoS封裝供不應求,HBM技術難度升級
行業觀察者預測,英偉達即將推出的B系列產品,如GB200, B100, B200等,將對CoWoS封裝產能產生巨大壓力。據IT之家早前報道,臺積電已計劃...
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEO...
在近期舉行的2024年歐洲技術研討會上,臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產,而臺積電計劃利用其...
早前在Memcon 2024行業會議上,三星電子代表曾表示,該公司計劃在年底前實現對1c納米制程的大規模生產;而關于HBM4,他們預見在明年會完成研發,...
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