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SK海力士投建全球最大三層晶圓廠,預(yù)計2046年完工
早在2019年,SK海力士便宣布了這一宏偉計劃,然而因許可等問題,開發(fā)工作曾遭遇延誤。2022年,經(jīng)過與中央及地方政府以及企業(yè)的協(xié)商,項目方略獲得重大突破。
存儲芯片行業(yè)的領(lǐng)軍者美光科技,最近發(fā)布了其第二財季的業(yè)績報告,業(yè)績數(shù)據(jù)亮眼,顯示出強勁的增長勢頭。據(jù)報告,截至2024年2月底,美光科技的季度營收達到了...
英偉達對三星HBM3E進行測試,海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅
現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了...
美光科技Q2業(yè)績超預(yù)期 營收同比增長58% 美光科技Q2業(yè)績超預(yù)期,截至2月29日的第二財季,美光營收同比增長58%,高達58.2億美元,大幅超出分析師...
美光科技Q2業(yè)績超預(yù)期 第二季度營收達到58.2億美元
隨著全球范圍內(nèi)對人工智能技術(shù)的日益重視和應(yīng)用,美光科技的存儲芯片需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長的趨勢。
AI需求引爆存儲市場,2024存儲市場趨勢如何?CFMS給出預(yù)測
3月20日,2024年中國閃存市場峰會CFMS在深圳前海華僑城JW萬豪酒店盛大召開,三星、SK海力士、美光、鎧俠、長江存儲等內(nèi)存大廠高管紛紛發(fā)表重磅演講...
今日看點丨Meta將率先使用英偉達最新人工智能芯片;三星計劃推出AI芯片 采用LPDDR而非HBM
1. Meta 將率先使用英偉達最新人工智能芯片 ? Facebook的所有者Meta社交平臺的一位發(fā)言人外媒透露,預(yù)計英偉達的最新旗艦人工智能芯片將在...
SK海力士展示業(yè)界最高標(biāo)準(zhǔn)適于AI應(yīng)用的存儲器產(chǎn)品
3月18日至21日,SK海力士在圣何塞舉辦的2024年度英偉達GPU技術(shù)大會(NVIDIA GTC 2024,NVIDIA GPU Technology...
2024-03-21 標(biāo)簽:存儲器數(shù)據(jù)傳輸NVIDIA 611 0
HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 標(biāo)簽:存儲器人工智能數(shù)據(jù)處理 1092 0
英偉達擬向三星采購高帶寬存儲芯片,追趕AI芯片巨頭SK海力士
對此,英偉達聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛在加利福尼亞州圣何塞舉辦的大會上,坦言:“HBM結(jié)構(gòu)相當(dāng)精密且附加價值極高,我司已在此領(lǐng)域做出大量投資?!彼M一...
英偉達宣布推出新一代GPU Blackwell,SK海力士已量產(chǎn)HBM3E
在英偉達GTC 2024大會上,英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell,第一款Blackwell芯片名為GB200,將于今年晚些時候上市。
集邦咨詢:明年HBM TSV產(chǎn)能預(yù)計250K/m,占DRAM總產(chǎn)能14%
集邦咨詢的報告進一步強調(diào),HBM和DDR5之間的區(qū)別主要在于Die Size上。在同等制程及容量(如24GB)下,HBM Die尺寸大于DDR5的基礎(chǔ)版...
四川長虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注
四川長虹回應(yīng)幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注 AI的爆發(fā)極大的推動了HBM芯片的需求;今日市場有傳聞稱四川長虹將為華為代工HBM芯片,對此傳言四川長虹回應(yīng)...
預(yù)期HBM供應(yīng)將大幅增長,驅(qū)動DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展
擔(dān)任分析師職務(wù)的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低2...
三星否認MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)
實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后...
三星澄清:未采用MR-MUF工藝,持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)HBM芯片技術(shù)
近期,針對三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified M...
三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)對三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)。
受困于良率?三星否認HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)據(jù)報道,三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐,計劃增加“MUF”芯片制造技術(shù),用于生產(chǎn)HBM(高帶寬內(nèi)存)芯片。但...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)在AI持續(xù)攪動服務(wù)器與云端市場的前提下,不少半導(dǎo)體廠商憑借各種計算芯片、加速器、內(nèi)存收益暴漲,比如GPU、HBM等等。但常...
三星電子近期計劃設(shè)立專門的HBM(高帶寬存儲器)開發(fā)辦公室,旨在進一步強化其在HBM領(lǐng)域的競爭力。目前,關(guān)于新設(shè)辦公室的具體團隊規(guī)模尚未明確,但業(yè)界普遍...
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