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hbm3

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hbm3資訊

風景獨好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動

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2024-10-06 標簽:SK海力士HBM3HBM3E 3858 0

三星HBM3已經(jīng)通過英偉達的適用性測試

去年,三星便積極向英偉達遞送了HBM3樣品,旨在融入其H100等多款計算卡的供應鏈體系中,并預計于2024年爭取到英偉達HBM3訂單中高達30%的份額。...

2024-07-26 標簽:英偉達三星HBM3 527 0

今日看點丨傳三星HBM3獲英偉達認證 將用于中國版H20芯片;OPPO 新開兩塊高密度硅材料單電芯電池

1. 隨著日本將首次引入EUV 光刻機,ASML 當?shù)貑T工計劃增至600 人 ? 隨著日本準備進口其首批極紫外(EUV)光刻機,作為唯一技術(shù)提供商的AS...

2024-07-24 標簽:芯片OPPO英偉達 661 0

HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達,國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉達供應HB...

2024-07-23 標簽:英偉達HBM三星 3811 0

三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行,與英偉達展開聯(lián)合測試并取得階段性成果

據(jù)行業(yè)觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準,而這與三星自身的生產(chǎn)方式有所出入,從而影響了產(chǎn)品的認證進程。

2024-05-17 標簽:SK海力士三星HBM3 393 0

SK海力士發(fā)布2024財年第1季度財報,創(chuàng)歷史同期新高

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2024-04-25 標簽:DRAMSK海力士HBM3 558 0

韓美半導體新款TC鍵合機助力HBM市場擴張

TC鍵合機作為一種應用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設備,近年來廣泛應用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產(chǎn)效率和精度。

2024-04-12 標簽:電路板半導體行業(yè)HBM3 1102 0

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HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

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HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了...

2024-03-30 標簽:存儲器SK海力士HBM3 2207 0

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

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12層HBM3e將每個堆??捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。

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三星電子HBM存儲技術(shù)進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。...

2024-03-27 標簽:英偉達三星HBM3 887 0

NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。

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 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進...

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GTC 2024:三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

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SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導者地位。

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SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

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2024-03-14 標簽:DRAMHBM三星 3982 0

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