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hbm3

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hbm3資訊

三星的HBM3芯片生產(chǎn)良率約為10-20%!

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2024-03-13 標(biāo)簽:三星電子芯片封裝AI芯片 686 0

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

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2024-02-25 標(biāo)簽:傳輸速率英偉達(dá)HBM3 643 0

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2023-12-13 標(biāo)簽:Rambus內(nèi)存控制器HBM3 1461 0

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 ...

2023-12-07 標(biāo)簽:控制器內(nèi)存AI 777 0

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為增強(qiáng)AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn)...

2023-12-07 標(biāo)簽:RambusHBM3 260 0

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

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2023-11-29 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)HBM 880 0

英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成

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HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出,具有針對英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下,HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯...

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2023-11-27 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)HBM 976 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預(yù)計(jì)...

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三星電子將從明年1月開始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存

據(jù)預(yù)測,進(jìn)入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導(dǎo)體業(yè)績明年將迅速恢復(fù)。部分人預(yù)測,三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。

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HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

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來源:EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子(GUC)宣布,公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗(yàn)證,該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該...

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三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。

2023-09-01 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)三星 4.1萬 0

SK海力士開發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動(dòng)人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)。

2023-08-31 標(biāo)簽:DRAM人工智能SK海力士 676 0

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時(shí),SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(B...

2023-08-23 標(biāo)簽:DRAM散熱性能SK海力士 844 0

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