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AMD發布HBM3e AI加速器升級版，2025年推新款Instinct MI

目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶...

2024-02-25 標簽：傳輸速率英偉達 HBM3 649 0

三星披露下一代HBM3E內存性能

FinFET立體晶體管技術是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都...

2023-10-23 標簽：內存晶體管 EUV 642 0

超級計算機性能百億億次時代開啟 SK海力士HBM3為超算加速

在超級計算機以令人驚訝的速度不斷超越，實現升級的背后，存儲芯片的性能持續提升，不斷突破閾值，為其提供了有力支持。越來越多的超級計算機也在服務器上使用高帶...

2022-09-01 標簽：存儲器超級計算機存儲芯片 624 0

創意電子宣布5nm HBM3 PHY和控制器經過硅驗證，速度為8.4Gbps

來源：EE Times 先進ASIC領導廠商創意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術。該...

2023-09-07 標簽：控制器 HBM3 588 0

SK海力士發布2024財年第1季度財報，創歷史同期新高

本季度，SK海力士實現了歷史最高的收入水平，同時營業利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀錄。公司認為這標志著長期低迷后的全面復蘇。

2024-04-25 標簽：DRAM SK海力士 HBM3 558 0

英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

HBM4 預計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產品量身定制的增強規格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標志著其最底部邏輯...

2023-11-28 標簽：存儲芯片 Nand flash 英偉達 552 0

三星HBM3已經通過英偉達的適用性測試

去年，三星便積極向英偉達遞送了HBM3樣品，旨在融入其H100等多款計算卡的供應鏈體系中，并預計于2024年爭取到英偉達HBM3訂單中高達30%的份額。...

2024-07-26 標簽：英偉達三星 HBM3 527 0

三星重磅發布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。

2024-03-29 標簽：amd DRAM 服務器 526 0

NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內存

據悉，HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。

2024-03-25 標簽：人工智能英偉達 HBM3 432 0

三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行，與英偉達展開聯合測試并取得階段性成果

據行業觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準，而這與三星自身的生產方式有所出入，從而影響了產品的認證進程。

2024-05-17 標簽：SK海力士三星 HBM3 393 0

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內存控制器IP大幅提升AI性能

為增強AI/ML及其他高級數據中心工作負載打造的 Rambus 高性能內存 IP產品組合高達9.6 Gbps的數據速率，支持HBM3內存標準的未來演進...

2023-12-07 標簽：Rambus HBM3 260 0

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內存主機控制器接口規范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設備接口規范。它是與AHCI類似的、基于設備邏輯接口的總線傳輸協議規范（相當于通訊協議中的應用層）
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