數字IC前端設計流程及工具

以門級網表（Netlist）生成為分界線，之前稱為前端，之后稱為后端。

2023-06-25 標簽：IC設計RTLDFT 2017 0

如何防止靜電放電損傷呢？ESD的測試方法解析

NMOS我們通常都能看到比較好的Snap-back特性，但是實際上PMOS很難有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，這個...

2023-10-26 標簽：串聯電阻IC設計靜電放電 2015 0

比較器的數字邏輯電路設計

在**數字 IC 設計**中，總是需要對一些數據進行 **大小的比較** ，例如比較兩個或者三個以上的數據的大小，接著進行排序，最終輸出等等。

2023-10-09 標簽：IC設計比較器二進制 1999 0

深度解讀IC設計的多時鐘域設計方案

假如考慮處理器和存儲器的工作頻率為500MHz，帶有存儲器控制器的浮點引擎的工作頻率為666.66MHz，總線接口和高速接口工作頻率為250MHz，則該...

2022-07-12 標簽：asicIC設計觸發器 1966 0

數字IC設計流程中為什么要做門級仿真？

門級仿真（gate levelsimulation）也稱之為后仿真，是數字IC設計流程中的一個重要步驟。

2023-06-07 標簽：IC設計芯片設計仿真 1945 0

Verdi使用技巧(一)

如果問廣大的ICer一個問題，大家在日常仿真中用的最頻繁的工具是什么?

2023-04-25 標簽：IC設計soc仿真 1920 0

IGBT雙脈沖測試仿真過程描述

階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。

2023-07-12 標簽：電感器IC設計IGBT 1891 0

clock-gating的綜合實現

在ASIC設計中，項目會期望設計將代碼寫成clk-gating風格，以便于DC綜合時將寄存器綜合成clk-gating結構，其目的是為了降低翻轉功耗。

2023-09-04 標簽：寄存器IC設計ASIC設計 1879 0

IGBT穩態輸出特性及其工作原理

IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。

2023-07-13 標簽：三極管IC設計MOS管 1858 0

IC設計：常見的ram訪問沖突

ram沖突是幾乎每顆芯片都需要關注的問題，部分場景下，ram訪問沖突不容易驗證到，容易造成芯片bug。ram訪問沖突的類型通常有訪問接口沖突和訪問地址沖突。

2023-11-13 標簽：芯片接口IC設計 1840 0

淺談IC驗證者眼中的FS

明確需求，形成OR文檔是芯片研發諸多環節中，比較重要的一步，但只是第一步。

2023-06-02 標簽：IC設計AMBASPEC 1837 0

半導體IC設計是什么？IC設計和芯片設計區別

半導體IC設計是什么半導體IC設計（IntegratedCircuitDesign）是指基于半導體工藝，按照一定的電路設計規則和原理，在晶片上集成多個器...

2024-04-03 標簽：芯片半導體電路設計 1822 0