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非揮發性相變記憶體技術長久以來一直被討論是否可取代現有的主動式記憶體和快閃記憶體,但迄今仍充滿爭議,因為盡管多年來有許多公司相繼投入研發,但仍未達量產水準。
BM和Leti在IEDM上發表的關于Nanosheet的工作進展:改進蝕刻工藝,基于偶極子的Vt控制,在疊層下引入介電層降低寄生電容以及對納米片疊層中應...
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