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提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉換器設計師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片與IGBT模塊在電力電子領域中扮演著至關重要的角色,它們在結構、功能、應用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對兩者區(qū)別...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是兩種常見的功率半導體器件,它們在許多應用中都有廣泛的應用。 工作原理 IGB...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,IGBT模塊在工作過程中會產(chǎn)生大量...
IGBT模塊是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件,具有高電壓、大電流、高頻率、高效率等特點。 IGBT模塊的基本概念 IGBT(Insulate...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊和IGBT驅動是電力電子領域中非常重要的兩個組成部分。它們在許多應用中...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導體器件,它的特點是結合了MO...
一、引言 高速風筒是一種廣泛應用于家庭和商業(yè)領域的小型電器設備,用于快速干燥和造型吹風。在高速風筒的電路設計中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊扮演著重...
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