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標(biāo)簽 > igbt模塊
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,IGBT模塊在工作過程中會產(chǎn)生大量...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊和IGBT驅(qū)動是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個組成部分。它們在許多應(yīng)用中...
2024-07-25 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動IGBT驅(qū)動 1115 0
一、引言 高速風(fēng)筒是一種廣泛應(yīng)用于家庭和商業(yè)領(lǐng)域的小型電器設(shè)備,用于快速干燥和造型吹風(fēng)。在高速風(fēng)筒的電路設(shè)計中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊扮演著重...
2023-12-01 標(biāo)簽:電流開關(guān)電源IGBT模塊 675 0
電源模塊參數(shù)對并聯(lián)開關(guān)特性影響的方法
IGBT模塊并聯(lián)的挑戰(zhàn)是在考慮不同模塊參數(shù)的情況下了解功率轉(zhuǎn)換器的必要降額。這種理解對于在熱和安全操作限制內(nèi)正確并行運(yùn)行模塊非常重要。本文介紹了如何分...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 工作原理 IGB...
2024-08-07 標(biāo)簽:MOS半導(dǎo)體材料雙極晶體管 650 0
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸
IGBT模塊應(yīng)用中的功率因數(shù)有哪些呢?
變頻器牽引電機(jī)時,電機(jī)的功率因數(shù)為正數(shù),電機(jī)吸收有功能量,有功能量送到電機(jī),電機(jī)功率因數(shù)為正。
提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET...
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