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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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電磁爐作為利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象來工作的烹飪廚具,無需明火加熱,因此高效又節(jié)能。目前,其發(fā)展趨勢以及市場前景十分樂觀,但想要在競爭激烈的市場中占有更大的份額,...
2024-12-12 標(biāo)簽:mcu轉(zhuǎn)換器東芝 273 0
所謂分立器件,顧名思義就是由單個電子器件組成的電路元器件,它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品,作用包括整流、開關(guān)、小信號放...
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝介紹
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝是一個專業(yè)性很強的領(lǐng)域,涉及到材料的選擇、配比、混合、脫泡、灌封、固化等多個步驟。
全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型,尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV),都在轉(zhuǎn)向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了...
結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運行的重要條件,IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱,可能會導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引...
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
計算IGBT模塊死區(qū)時間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了確保可靠地使用IGBT,必須避免出現(xiàn)橋臂直通現(xiàn)象。橋...
2024-11-08 標(biāo)簽:IGBT 717 0
浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
如何設(shè)計 IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計IGBT或SiCFET橋接電路時,門驅(qū)動電路的正確設(shè)計與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后...
探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管
在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時代,電力電子技術(shù)正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性,成為了眾多工程師和設(shè)計師們關(guān)注的焦點。而特瑞諾(trin...
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