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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

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基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...

2024-03-01 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET逆變器 371 0

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IGBT的過流保護(hù)電路可分為兩類:一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護(hù);另一類是高倍數(shù)(可達(dá)8-10倍)的短路保護(hù)。

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igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會有什么影響?

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可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力,適用于需要在極短時(shí)間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場合。而IGBT的反向阻斷能力相對較弱,不適用于這種高反向電壓沖擊的場合。

2024-02-29 標(biāo)簽:可控硅變頻器逆變器 3280 0

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2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動IGBT 982 0

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2024-02-26 標(biāo)簽:電容器二極管IGBT 1.6萬 0

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上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》,對于T-NPC拓?fù)鋪碚f也是類似的,我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖...

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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