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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會影響地線電壓 , 當(dāng)兩...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容開關(guān)電源 957 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心,IGBT結(jié)合了MOSFET...
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGB...
選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個(gè)方面: 電壓等級:選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級。通常情況下,IGBT的額定電壓等級應(yīng)大于實(shí)際電路中的最...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控...
柵極環(huán)路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
雙脈沖測試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號,以模擬實(shí)際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測試需求。
2024-03-11 標(biāo)簽:測試系統(tǒng)IGBT功率器件 2953 0
IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用
根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對流和輻射的形式),而大部分熱量通過...
Wolfspeed功率模塊對三相工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的影響
為了確保系統(tǒng)可行、正常運(yùn)行和優(yōu)化,我們使用不同的散熱器,將 IGBT 散熱器尺寸從 0.8 L 增大到 1.37 L,并將碳化硅散熱器尺寸減小 61%,...
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?
基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...
igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會有什么影響?
可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力,適用于需要在極短時(shí)間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場合。而IGBT的反向阻斷能力相對較弱,不適用于這種高反向電壓沖擊的場合。
絕緣門極雙極型晶體管(IGBT)是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、飽...
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