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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

如何用一顆IGBT撬動電動汽車逆變器?

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電動汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動力,IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。

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把半橋電路的兩個橋臂諧振電容改成兩個IGBT,線圈串聯(lián)一個揩振電容就構(gòu)成全橋電路,IGBT1和IGBT4以及IGBT2和IGBT3交替工作,從而獲得比較...

2019-06-10 標(biāo)簽:IGBT控制板電磁加熱器 9385 0

變頻器內(nèi)部故障排查實(shí)例分析

變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備。

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焊機(jī)作為比較傳統(tǒng)的行業(yè),但是任何一個行業(yè)不可能是停滯不前的。俗話說:原地踏步就等于退步。所以,隨著電子元器件的發(fā)展,各個行業(yè)也都在不停地迭代更新,推出新...

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IGBT基礎(chǔ)知識、參數(shù)特性、驅(qū)動電路總結(jié)

IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...

2022-12-22 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 9242 0

介紹MOSFET絕對最大額定值相關(guān)的參數(shù)

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VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。

2023-05-29 標(biāo)簽:MOSFET示波器IGBT 9205 0

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改變整流器輸出電壓vc的基波幅值和相位,就可以使is和vs同相位、反相位、is比vs超前90°、以及is比vs超前/滯后某一所需要的角度。因此,整流器在...

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MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)

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多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲?。理論和?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...

2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9106 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺的分析

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米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開始下降,但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動電流 9039 0

igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?

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IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...

2023-07-28 標(biāo)簽:電感IGBT寄生電容 9024 0

電動車低速過載工況下IGBT動態(tài)溫升分析

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介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時(shí)IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真,以及不同工況下IGBT瞬時(shí)結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動車電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計(jì)中IG...

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IGBT芯片自身的短路分析

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這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。

2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動電阻 8946 0

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變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟...

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2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT碳化硅 8899 0

永磁電機(jī)調(diào)速原理、方法和范圍

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當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升,過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電,若不進(jìn)行保護(hù)會使得門極電壓過高而損壞IGBT,門極鉗位電路主...

2023-02-23 標(biāo)簽:三極管IGBTpnp 8845 0

IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)

IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...

2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 8827 0

有源鉗位抑制IGBT浪涌電壓原理現(xiàn)詳解

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 我們都知道,IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流的下降率較高,在較大功率的情況下,由于主回路存在較大的雜散電感(為什么要盡量降低雜散電感的一個原因),從而集電極...

2023-04-06 標(biāo)簽:二極管IGBT有源鉗位 8720 0

什么是IGBT?IGBT的工作原理

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IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵...

2023-12-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體 8690 0

IGBT基礎(chǔ)知識:IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用

IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

2023-02-14 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 8679 0

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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