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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備。
焊機(jī)的基本知識、電路拓?fù)渑cIGBT選擇的建議
焊機(jī)作為比較傳統(tǒng)的行業(yè),但是任何一個行業(yè)不可能是停滯不前的。俗話說:原地踏步就等于退步。所以,隨著電子元器件的發(fā)展,各個行業(yè)也都在不停地迭代更新,推出新...
IGBT基礎(chǔ)知識、參數(shù)特性、驅(qū)動電路總結(jié)
IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...
介紹MOSFET絕對最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
IGBT整流器功率因數(shù)有什么控制方法?CT異常對整流器有什么影響?
改變整流器輸出電壓vc的基波幅值和相位,就可以使is和vs同相位、反相位、is比vs超前90°、以及is比vs超前/滯后某一所需要的角度。因此,整流器在...
MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲?。理論和?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9106 0
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時(shí)IGBT模塊結(jié)溫進(jìn)行仿真,以及不同工況下IGBT瞬時(shí)結(jié)溫的仿真結(jié)果。本文可對電動車電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計(jì)中IG...
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟...
碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
具體來說,可以通過電子器件(例如晶體管、IGBT等)開關(guān)電源,將直流電源轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖信號,再通過控制脈沖的占空比來控制電機(jī)的電壓。當(dāng)占空比增加時(shí)...
當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升,過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電,若不進(jìn)行保護(hù)會使得門極電壓過高而損壞IGBT,門極鉗位電路主...
IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 8827 0
IGBT基礎(chǔ)知識:IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用
IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 8679 0
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