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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2811個 瀏覽：248890次 帖子：479個

      igbt技術

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      在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯的，可靠性體現為在產品預期壽命內的長期質量表現。任何制造商要想維續經營，...

      2024-01-17 標簽：半導體安森美IGBT 1435 0

      安森美IGBT常規進行的可靠性測試方案

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      用于確定漏電流的穩定性，這與IGBT的場畸變有關。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機制，因此是器件質量和可靠性的良好指標，也可以驗證過程控制的有效性。

      2024-01-17 標簽：安森美IGBT偏置電壓 748 0

      光伏逆變器的分類、構成及保護技術

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      自20世紀70年代全球爆發石油危機以來，太陽能光伏發電技術引起了各國高度重視，光伏行業在全球迅速發展，經過多年的研究和技術開發，太陽能光伏組件價格已大幅...

      2024-01-15 標簽：太陽能IGBT光伏發電 1138 0

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      2024-01-12 標簽：串聯電阻IGBT續流二極管 3051 0

      變頻器風扇不轉會不會影響變頻器？

      嚴重影響變頻器的正常運行。逆變器的核心器件都是IGBT功率半導體開關元件。

      2024-01-11 標簽：變頻器IGBT功率半導體 1415 0

      igbt內部結構及工作原理分析

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，具有MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的高輸入阻抗和GTR（大功率晶體管）的低導通壓降的優點...

      2024-01-10 標簽：IGBT晶體管功率半導體 1787 0

      IGBT提高風力變流器性能

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      文章提出的IGBT模塊是設計針對風力應用的，但如果在其它設計方案中也需要采用IGBT模塊，或者其他需要定期進行單向功率流的高功率應用也可以參考。例如，在...

      2024-01-09 標簽：IGBT風力發電變流器 554 0

      英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統性能（上）

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      本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態損耗，并具備高可...

      2024-01-09 標簽：變頻器IGBT柵極 598 0

      igbt真空回流焊空洞問題

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極性晶體管）被廣泛應用于高壓和高頻率的功率電子領域，例如電力傳輸、...

      2024-01-09 標簽：IGBT晶體管回流焊 1303 0

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      • OBD
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