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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2819個 瀏覽：249227次 帖子：479個

      igbt技術

      抑制IGBT集電極過壓尖峰的方法

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      2022-08-23 標簽：IGBT集電極 8103 0

      什么是IEGT呢？這得從上個世紀末說起

      屈興國告訴半導體行業觀察記者，東芝IEGT單管目前可以實現4.5KV和3KA的功率，再加上簡易的串聯實施，這些產品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網發展...

      2018-07-11 標簽：東芝IGBT功率器件 8084 0

      功率器件介紹、市場概況、產業鏈分析，您想了解的都在這里了

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      變流器把直流電轉換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產品中， 如供電電路中的電壓波動整形、產生變頻輸出功率來控制電機轉動速度，后者 在變頻空調、...

      2023-11-30 標簽：IGBT功率器件產業鏈 8031 0

      基于HT45F,BS86D的低零件成本單管電磁爐解決方案

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      低零件成本單管電磁爐 ? No.WAS-2041 ? Induction Cooker Flash MCU ( ? 本?案使?項? △ 其他相關項? )...

      2021-12-08 標簽：單片機IGBT電磁爐 8022 1

      浩寶推出IGBT功率半導體無空洞、高可靠真空焊接設備

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      隨著全球新能源的發展，功率半導體行業正在快速發展。IGBT功率模塊在封裝焊接時有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產等需求

      2023-09-01 標簽：MOSFETIGBTLED封裝 7991 0

      關于IGBT的特性

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      　IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和FWD（續流二極管）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導體產品。封裝后的IGBT模塊直接應用于逆變器、U...

      2023-02-26 標簽：模塊封裝逆變器 7961 0

      IGBT單管參數解析-上

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      IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理...

      2023-02-07 標簽：IGBT參數單管 7919 0

      如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應

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      使用IGBT時，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。

      2021-05-17 標簽：電容器IGBT柵極驅動器 7915 0

      IGBT模塊及散熱系統的等效熱模型

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      本文對IGBT模塊的等效熱路模型展開基礎介紹，所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設計。

      2021-08-20 標簽：散熱器IGBT散熱系統 7909 0

      介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

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      2022-08-08 標簽：二極管IGBT雜散電感 7904 0

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      2021-05-20 標簽：驅動器IGBTMOSFET驅動器 7884 0

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      2023-11-09 標簽：變頻器IGBT功率半導體 7854 0

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