完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:2811個(gè) 瀏覽:248896次 帖子:479個(gè)
開關(guān)管的工作原理 開關(guān)管怎么檢測好壞
開關(guān)管是一種能夠在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間快速切換的半導(dǎo)體器件,通常用于電源開關(guān)、半橋/全橋驅(qū)動(dòng)電路、PWM調(diào)制等電子產(chǎn)品中。常見的開關(guān)管有MOS管、IGBT管等。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí),例如正向電壓,漏結(jié)...
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 2517 0
2023-12-09 標(biāo)簽:電磁IGBT感應(yīng)加熱 1090 0
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...
為什么EliteSiC M3S技術(shù)是高速開關(guān)應(yīng)用的更優(yōu)選擇?
安森美汽車電源部應(yīng)用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場強(qiáng)、能帶隙和熱導(dǎo)率,電力電子設(shè)計(jì)人員可以利用這些特性來開發(fā)比硅基IGBT器件效...
2023-12-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT高速開關(guān) 360 0
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1121 0
為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT...
2023-12-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管半導(dǎo)體器件 2084 0
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 3741 0
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1178 0
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展:7代技術(shù)及工藝改進(jìn)
新能源汽車的成本構(gòu)成中,最大頭當(dāng)然是動(dòng)力電池,第二高的就是IGBT。 在電動(dòng)汽車特斯拉Model 3上,提供電源的是,7000節(jié)18650電池,這些...
Saber軟件與電源變換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
設(shè)計(jì)各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項(xiàng)指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...
2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 680 0
在上一篇中,我們建立了諧振電路系統(tǒng)的時(shí)域模型和頻域模型,簡單地分析了單管并聯(lián)諧振電路實(shí)例中諧振網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用及其實(shí)現(xiàn)零電壓(ZVS)開通的機(jī)理。
最近和一些EE工程師聊到IGBT的技術(shù)問題,聊的過程中發(fā)現(xiàn),他們最感興趣的問題大多是關(guān)于功率器件極限能力的評(píng)估方法,因?yàn)檫@些問題直接關(guān)系到了系統(tǒng)的可靠性。
這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 8743 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |