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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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igbt技術

IGBT的關斷瞬態分析—電荷存儲變化趨勢(3)

至此，我們完整地分析了關斷瞬態過程中IGBT內部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲變化，而電荷對時間的變化率即對應電流。

2023-12-01 標簽：IGBT 電壓波形 838 0

IGBT的關斷瞬態分析—電荷存儲變化趨勢(2)

可以看出，減小遷移率和載流子壽命，可以增大關斷瞬間的電流突變率。

2023-12-01 標簽：IGBT BJT 電流突變 674 0

IGBT的關斷瞬態分析—電荷存儲變化趨勢(1)

現在我們把時間變量圖片加入，進行電荷總量圖片的瞬態分析。當柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內部存儲的電荷開始衰減，衰減過程是因為載流子壽命有限而自然復合

2023-12-01 標簽：IGBT 電流突變載流子 854 0

IGBT的關斷瞬態分析—電荷存儲初始值

在穩態部分的分析中，我們詳細地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構成部分與多余載流子濃度分布之間的關系，即一維空間的物理關系。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 685 0

IGBT電壓與電荷分布之間的關系（2）

因為電子從費米能級高位向低位流動，因此根據電子電流的流向很容易繪出費米能級的彎曲方向，這里將BJT發射極到集電極的導帶及價帶能帶示意圖繪制如圖所示。

2023-12-01 標簽：IGBT BJT 電壓電流 957 0

IGBT電壓與電荷分布之間的關系（1）

前面我們基本完成了穩態狀況下，電流（包含電子電流和空穴電流）與電荷分布之間的關系，下面我們來看看穩態下電壓與電荷分布之間的關系。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結 BJT 1046 0

IGBT的穩態分析—電流與電荷分布關系修正

如前所述，修正圖片、圖片與圖片的關系關鍵在于要重新基于BJT結構模型來建立圖片與圖片的關系。

2023-12-01 標簽：IGBT PN結 BJT 848 0

IGBT穩態分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結構模型》中，我們將IGBT內部PIN結切分成了PIN1和PIN2（見上一節插圖），因為PIN1與溝槽所構成的MOS串聯

2023-12-01 標簽：IGBT MOS PN結 983 0

IGBT穩態分析—電流與電荷分布的初步分析（2）

上一章我們對IGBT穩態的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運動相互影響，這個影響關系需要用雙極性擴散系數來描述。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 733 0

IGBT穩態分析—電流與電荷分布的初步分析（1）

IGBT作為大功率雙極型開關器件，持續工作在大注入、低增益的狀態下，關斷過程中因為電子電流、空穴電流關斷不同步

2023-12-01 標簽：IGBT 電流電壓載流子 710 0

IGBT的物理結構模型—BJT&MOS模型（2）

上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數關系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 880 0

IGBT的物理結構模型—BJT&MOS模型（1）

在前面關于PIN&MOS模型分析中，特別強調了這個模型所存在的一個短板，即所有電流都通過MOS溝道，實際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...

2023-12-01 標簽：IGBT 晶體管 MOS 1469 0

IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結構，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標簽：IGBT MOS PN結 879 0

金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅動電源產品優勢

基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IG...

2023-12-01 標簽：MOSFET IGBT SiC 802 0

IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（2）

上一節的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結構相連接，而PIN2則與基區相連接。

2023-11-30 標簽：IGBT MOS 載流子 1045 0

IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（1）

分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單

2023-11-30 標簽：二極管 IGBT MOS 2002 0

功率器件介紹、市場概況、產業鏈分析，您想了解的都在這里了

變流器把直流電轉換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產品中，如供電電路中的電壓波動整形、產生變頻輸出功率來控制電機轉動速度，后者在變頻空調、...

2023-11-30 標簽：IGBT 功率器件產業鏈 8046 0

IGBT中的MOS結構—抗輻照特性介紹

氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發的電子空穴對會對絕緣層的特性造成影響。

2023-11-30 標簽：IGBT MOS器件閾值電壓 1910 0

IGBT中的MOS結構—輸入電容（下）

上一章我們講到圖片的變化趨勢，可以按照相同的方式進行分析，即柵極與漏極極之間的電容。

2023-11-29 標簽：IGBT MOS 等效電路 1258 0

IGBT中的MOS結構—輸入電容（上）

MOS是金屬氧化物半導體結構，氧化物是絕緣層，有絕緣層即意味著存在電容。

2023-11-29 標簽：半導體 IGBT MOS 2137 0

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