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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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利用功率循環(huán)測試以分析汽車IGBT芯片的材料性能
本文描述功率循環(huán)測試和瞬態(tài)熱測試的組合實驗,在此實驗中我們使器件經(jīng)受功率循環(huán),從而產(chǎn)生故障,然后在不同的穩(wěn)態(tài)之間執(zhí)行瞬態(tài)熱測試,以此確定 IGBT 小樣...
2016-01-18 標(biāo)簽:IGBT功率循環(huán)測試 5691 0
功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護電路等功能的...
在變頻調(diào)速系統(tǒng)里,存在著兩個設(shè)備:變頻器和電動機。兩者對過電流的耐受程度是不一樣的。生產(chǎn)機械的設(shè)計人員在決定電動機容量時,根據(jù)的是發(fā)熱原則。就是說,只要...
電動商用車對IGBT模塊有什么要求?IGBT在電動商用車的應(yīng)用特點概述
英飛凌公司高級經(jīng)理陳子穎在高工電動車·電動物流車產(chǎn)業(yè)峰會上,發(fā)表了《電動商用車IGBT模塊的關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用要求》的精彩演講,詳細闡述了IGBT的標(biāo)準體系...
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格,需要負壓驅(qū)動進行輔助。
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MO...
2023-05-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 5449 0
EMC電路中電感有什么作用?IGBT凌亂電感排列規(guī)則
電感普遍存在與導(dǎo)電的導(dǎo)體。通常疊層母線(BUSBAR)的物理尺寸是由系統(tǒng)決定的,元器件的位置是由BUSBAR的結(jié)構(gòu)決定的。為了盡量減少電感的影響,而又不...
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體...
IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場規(guī)模分析
功率半導(dǎo)體器件(Power Electronic Device)又稱為電力電子器件和功率電子器件,是指可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制...
本文以單相橋式逆變電路為例簡單說明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個臂,由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。
三極管是一種電流控制體器件,它的主要作用是把微弱信號放大,輸入阻抗低,例如在基極b給一個很小的電流Ib,在集電極c上得到一個比較大的電流Ic。它是電流放...
2023-04-13 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 5313 0
根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向...
基于IGBT電路的逆變器設(shè)計與分析,IGBT數(shù)字化模塊設(shè)計與考量
選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件,構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路,如圖4,同時,采用多個柵極電阻切換的方式,實現(xiàn)不同條件下對IGBT性能的調(diào)...
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