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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT功率放大保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

IGBT功率放大保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

 IGBT的損耗功率隨著開關(guān)頻率的增高而增大,大功率運(yùn)行時(shí),損耗功率易急劇增加發(fā)熱,由于IGBT的結(jié)溫不超過125℃,基于IGBT的功率開關(guān)電路不能長(zhǎng)期...

2022-07-04 標(biāo)簽:功率放大電路IGBT 5221 0

IGBT雙脈沖測(cè)試的意義和原理

IGBT雙脈沖測(cè)試的意義和原理

對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能; 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù); 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適; 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩;

2023-11-10 標(biāo)簽:二極管電流IGBT 5216 0

超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性

英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能...

2018-06-22 標(biāo)簽:英飛凌igbt續(xù)流二極管 5214 0

絕緣柵雙極晶體管知識(shí):IGBT對(duì)比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢(shì)

絕緣柵雙極晶體管知識(shí):IGBT對(duì)比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢(shì)

由于電導(dǎo)率調(diào)制,它具有非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降,并具有出色的導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。因此,較小的芯片尺寸是可能的,并且可以降低成本。

2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源PWM 5192 0

一文詳解IGBT 模塊的熱設(shè)計(jì)和熱管理

一文詳解IGBT 模塊的熱設(shè)計(jì)和熱管理

其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點(diǎn)較小,芯片工作中產(chǎn)生的熱量主要通過熱傳導(dǎo)的方式由芯片向基板單向傳遞,在此過程中會(huì)遇到一定的阻力,稱為導(dǎo)熱熱阻。

2024-04-07 標(biāo)簽:芯片IGBT熱管理 5132 0

SiC材料在牽引系統(tǒng)中的應(yīng)用

SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,與Si相比具有擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點(diǎn),適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

2018-05-17 標(biāo)簽:IGBTSiC 5074 0

Littelfuse專為電機(jī)控制和逆變器設(shè)計(jì)的IGBT模塊,有何特點(diǎn)

Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝...

2018-09-05 標(biāo)簽:模塊電機(jī)控制逆變器 5068 0

探討改變電動(dòng)汽車市場(chǎng)的氮化鎵IC

氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動(dòng)汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。

2018-07-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車igbtSiC 5047 0

飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀

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如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...

2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBTPSPICE 5042 0

IGBT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)

IGBT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)

  IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和...

2023-02-20 標(biāo)簽:三極管MOSFETIGBT 5016 0

IGBT的工作特性與IGBT的檢測(cè)

IGBT的工作特性與IGBT的檢測(cè)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...

2017-05-10 標(biāo)簽:igbt晶體管 5013 1

GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。

2018-10-04 標(biāo)簽:IGBTGaN 4982 0

IGBT的開通過程

IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度...

2022-07-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管柵極電壓 4954 0

比亞迪驅(qū)動(dòng)復(fù)用升壓充電專利解析

比亞迪驅(qū)動(dòng)復(fù)用升壓充電專利解析

之前了解了BOOST升壓電路的原理,再來理解升壓充電就容易多了。

2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET升壓電路IGBT 4935 0

電焊機(jī)IGBT怎么選擇?

工控的IGBT市場(chǎng)規(guī)模在近年來逐步增大,尤其是隨著我國(guó)變頻器、電焊機(jī)市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng),工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)加速發(fā)展,對(duì)應(yīng)的工控 IGBT 市場(chǎng)也將穩(wěn)步增長(zhǎng)。

2023-02-24 標(biāo)簽:UPS電焊機(jī)IGBT 4920 0

IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用

IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...

2023-02-08 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 4919 0

IGBT模塊上的續(xù)流二極管

IGBT 模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢?

2022-12-29 標(biāo)簽:二極管變頻器IGBT 4901 0

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

今天給大家分享的是:IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

2023-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管IGBT 4894 0

開關(guān)管的工作原理 開關(guān)管怎么檢測(cè)好壞

開關(guān)管是一種能夠在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間快速切換的半導(dǎo)體器件,通常用于電源開關(guān)、半橋/全橋驅(qū)動(dòng)電路、PWM調(diào)制等電子產(chǎn)品中。常見的開關(guān)管有MOS管、IGBT管等。

2023-12-13 標(biāo)簽:萬用表電源管理MOS管 4894 0

主流功率半導(dǎo)體器件IGBT的歷史沿革和最新研究

本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀,并對(duì) IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和電學(xué)特性做了簡(jiǎn)要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...

2023-02-24 標(biāo)簽:emiIGBT半導(dǎo)體器件 4885 0

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    SDK
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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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