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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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igbt技術

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模數轉換器 數模轉換器 數字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩壓器 LDO 開關穩壓器 DC/DC 降壓轉換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅動器 步進驅動器 TWS BLDC 無刷直流驅動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
數字隔離器 ESD 保護 收發器 橋接器 多路復用器 氮化鎵 PFC 數字電源
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