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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2826個 瀏覽：249317次 帖子：479個

      igbt技術

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      2021-02-14 標簽：耦合IGBT功率 4588 0

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      2022-08-04 標簽：IGBT功率SiC 4573 1

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      2022-09-08 標簽：三極管MOSFETMOS管 4522 0

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      2023-11-03 標簽：MOSFETIGBTMOS 4521 0

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      2023-09-25 標簽：電動汽車電機控制連接器 4499 0

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      什么是IGBT？本文的關鍵要點?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

      2023-02-13 標簽：MOSFETIGBT晶體管 4497 0

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