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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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為了更好了解IGBT,下面我們?cè)賮砜纯此膬?nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有...
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?
可控硅:能夠被低功率的控制信號(hào)打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關(guān)斷而不能被控制信號(hào)關(guān)斷,因此又被稱為半可控開關(guān)。
2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4316 0
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng),利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開通振蕩。
2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 4271 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGB...
從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降...
西門子變頻器主要分為通用型、工程型和專用型三類,不斷推出新產(chǎn)品,其產(chǎn)品能夠滿足不同用戶的特殊要求。
MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。
ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析
本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以...
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4153 0
聊聊永磁同步電機(jī)的一種安全狀態(tài):FreeWheel
所謂FreeWheel其實(shí)就是將逆變器6個(gè)開關(guān)器件全部關(guān)斷,即工業(yè)變頻領(lǐng)域常說的關(guān)管或者自由停機(jī)。
2023-07-07 標(biāo)簽:二極管永磁同步電機(jī)逆變器 4151 0
什么是IGBT固態(tài)脈沖,它的工作原理是什么?IGBTa安裝與應(yīng)用技術(shù)
對(duì)于不含阻尼二極管的IGBT管,由于三個(gè)電極間的正反向電阻均為無窮大,故不能用此法判斷。一般地,可從外形上識(shí)別IGBT各電極的名稱,標(biāo)注型號(hào)的一面對(duì)著觀...
基于MOSFET和IGBT器件在電機(jī)控制應(yīng)用中的選擇
長(zhǎng)期以來,發(fā)動(dòng)機(jī)控制一直處于研究和開發(fā)活動(dòng)的前沿,其目標(biāo)是在兩個(gè)層面上找到有效和高效的微電子解決方案,一個(gè)是計(jì)算軟件,另一個(gè)是可以在微電子層次集成的電力...
2020-01-30 標(biāo)簽:mosfet電動(dòng)機(jī)igbt 4132 0
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT有何意義?IGBT失控?cái)?shù)據(jù)變化準(zhǔn)則
嚴(yán)格來說,器件靜電損傷也屬于過電壓應(yīng)力損傷,靜電型過電應(yīng)力的特點(diǎn)是:電壓較高,能力較小,瞬間電流較大,但持續(xù)的時(shí)間極短,與一般的過電應(yīng)力相比,靜電型損傷...
ZVS1和ZVS2各有哪些優(yōu)缺點(diǎn),如何選擇?
工作在容性區(qū)域電流超前于電壓,前級(jí)開關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZCS關(guān)斷,這個(gè)區(qū)域比較適合IGBT。 工作在感性區(qū)域電壓超前于電流,前級(jí)開關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZVS開通,這個(gè)...
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 標(biāo)簽:IGBT英飛凌科技FZ1200R45HL3 4098 0
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異,...
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