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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

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VSC目前已成為首選實施對象,原因如下:VSC具有較低的系統(tǒng)成本,因為它們的配站比較簡單。VSC實現(xiàn)了電流的雙向流動,更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控...

2023-04-06 標(biāo)簽:運算放大器IGBTVSC 3652 0

到底什么是功率半導(dǎo)體?

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變頻器IGBT模塊故障維修實例詳解

對于變頻器的維修,總的來說,首先要對其工作原理有較透徹的理解,對每個電路的性能指標(biāo)、工作點及器件的性能、好壞都能有一個正確的判別,才能真正地修好每一臺設(shè)...

2023-02-24 標(biāo)簽:傳感器變壓器變頻器 3649 0

IGBT的開關(guān)頻率最高到多少Hz?

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波老師那個年代上大學(xué)都是自己攢機裝電腦,買CPU先問主頻多少Hz?后來買手機也是,先看幾個核,再看主頻...所以估計大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...

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2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機控制器 3636 1

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  上篇我們聊了變頻器主回路的設(shè)計和計算,主要的還是主要參數(shù)的計算以及選型的注意事項,今天我們繼續(xù)往下說,聊聊變頻器的輔助電源部分。

2023-04-08 標(biāo)簽:電源設(shè)計變頻器DC-DC 3630 0

不同因素對IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?

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結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運行性能等。

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 3617 0

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SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時間(SCWT:shor...

2023-12-13 標(biāo)簽:芯片MOSFETIGBT 3583 0

IGBT結(jié)溫估算—(二)IGBT/Diode損耗的計算

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IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分

2023-05-26 標(biāo)簽:二極管IGBTDiode 3582 0

常用元件參數(shù)與選用

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常用電子元件有:電阻、電容、二極管、三極管、可控硅、IGBT、MOSFET等。

2023-05-30 標(biāo)簽:三極管二極管MOSFET 3581 0

igct和igbt的區(qū)別在哪

IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們在應(yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...

2023-11-24 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT晶體管 3567 0

IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解

GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點,具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。

2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 3561 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 3561 0

IGBT保護的問題:短路保護和過流保護

電流傳感器檢測主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進(jìn)行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實時性可能還有待提高;di/dt檢測主要是依據(jù)IGBT...

2022-09-05 標(biāo)簽:過流保護IGBT短路保護 3560 0

變頻器驅(qū)動電路簡述

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igbt驅(qū)動電路工作原理 igbt驅(qū)動電路和場效管驅(qū)動區(qū)別

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2024-01-23 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路雙極晶體管 3527 0

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SiC器件的優(yōu)缺點!

在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

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AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢

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2023-03-17 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率器件 3512 0

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智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅(qū)動電路和保護功能,以及IGBT。這樣,可以通過...

2023-02-02 標(biāo)簽:電路封裝IGBT 3491 0

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