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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。
2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 3651 0
對于變頻器的維修,總的來說,首先要對其工作原理有較透徹的理解,對每個電路的性能指標(biāo)、工作點及器件的性能、好壞都能有一個正確的判別,才能真正地修好每一臺設(shè)...
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們在應(yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...
IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解
GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點,具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 3561 0
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
電流傳感器檢測主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進(jìn)行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實時性可能還有待提高;di/dt檢測主要是依據(jù)IGBT...
igbt驅(qū)動電路工作原理 igbt驅(qū)動電路和場效管驅(qū)動區(qū)別
IGBT驅(qū)動電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點...
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...
在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
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