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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2828個 瀏覽：249352次 帖子：479個

      igbt技術

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      2023-09-11 標簽：半導體IGBTSiC 904 0

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      2023-09-08 標簽：驅動器IGBTPWM控制器 1579 0

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      2023-09-08 標簽：變頻器IGBT調試 1138 0

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      根據Mordor Intelligence的數據，從2020年IGBT市場的價值就達到60.47億美元，預計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...

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      摘要：本文通過比亞迪公司的專利了解電動汽車、車載充電器及其過流保護電路，其中，車載充電器包括AC/DC變換器和DC/DC變換器，AC/DC變換器和DC/...

      2023-09-07 標簽：電動汽車比亞迪IGBT 1506 0

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      功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIP...

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