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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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光伏電機(jī)IGBT模塊的應(yīng)用和精簡型風(fēng)電變流器的設(shè)計與分析
根據(jù)整個裝置所要完成的不同功能,將控制系統(tǒng)軟件劃分為主程序和中斷服務(wù)程序。主程序中包括DSP初始化和定時器設(shè)置,如圖6(a)所示;中斷程序包括A/D采樣...
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過程...
IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IGBT續(xù)流二極管 3141 0
為何需要選擇一款igbt來替換FGH60N60SMD型號參數(shù)呢?
這幾年來伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術(shù)的發(fā)展,在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應(yīng)用也越來越廣泛。
2023-04-11 標(biāo)簽:逆變器電力系統(tǒng)IGBT 3134 0
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 3093 0
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,稱為金氧半場效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
雙脈沖測試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號,以模擬實際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測試需求。
2024-03-11 標(biāo)簽:測試系統(tǒng)IGBT功率器件 3066 0
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、...
IGBT是什么類型的器件 IGBT是電壓驅(qū)動還是電流驅(qū)動
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性器件,結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢,既具有IGFET(...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點。在IGBT的應(yīng)用過程中,驅(qū)動電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電壓功率半導(dǎo)體器件 3052 0
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