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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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如測(cè)量旋變阻值正常,但不能判斷是否線束以及插件虛接問(wèn)題,可以將兩端低壓插件安裝好之后,抓住線束用力搖晃,如果儀表轉(zhuǎn)速出現(xiàn)異常波動(dòng),則仍需仔細(xì)排查線束和低壓插件。
高可靠性驅(qū)動(dòng)器6AB0460T12-NR01概述及特點(diǎn)
受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲(chǔ)能行業(yè)持續(xù)火熱迎來(lái)高速發(fā)展期。儲(chǔ)能變流器是儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對(duì)提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...
2023-07-28 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器asicIGBT 674 0
電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為:殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊,是電氣控制...
2023-07-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT功率 2446 0
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
IGBT功率模塊的熱阻網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)研究
隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發(fā)展,在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn),熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出,對(duì)散熱的要求越來(lái)越高,IGBT 芯片是產(chǎn)生...
igbt的工作原理及應(yīng)用(IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性)
IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)復(fù)合而成 BJT ( Bipolar Junction Transistor )...
2023-07-27 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 1177 0
在智能交流穩(wěn)壓器(或自動(dòng)穩(wěn)壓器(AVR))的設(shè)計(jì)中嵌入微處理器芯片技術(shù)和電力電子設(shè)備,導(dǎo)致在市電電壓出現(xiàn)顯著和連續(xù)偏差的情況下產(chǎn)生高質(zhì)量、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
2023-07-23 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電路轉(zhuǎn)換器 3802 2
igbt模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱方式
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-...
igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)
在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下,允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。
IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 8911 0
絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(...
但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進(jìn)精電動(dòng)招股說(shuō)明書,電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動(dòng)電機(jī)總成(將動(dòng)力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機(jī)械能,是輸出動(dòng)力的來(lái)源)、控制器總成(基于功...
使用工業(yè)級(jí)熱特征提取方法提高大功率半導(dǎo)體的測(cè)試與故障診斷速度
隨著消費(fèi)者和工業(yè)電子系統(tǒng)不斷增長(zhǎng)的能源需求,電子電力元器件供應(yīng)商以及OEM 面臨著為航空、電動(dòng)車、火車、發(fā)電設(shè)備以及可重復(fù)使用能源生產(chǎn)提供高可靠性系統(tǒng)的...
Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來(lái)了無(wú)限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
連續(xù)幾個(gè)月都在討論仿真的學(xué)習(xí)方法和內(nèi)在原則,未來(lái)在尺度方面還會(huì)有繼續(xù)的引申。這一類文章更適合于有仿真經(jīng)驗(yàn)的學(xué)習(xí)者。
柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響
階段1(0—t1),在t=0時(shí)刻,開關(guān)S動(dòng)作,lGBT開始關(guān)斷,柵極通過(guò)RG開始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過(guò)溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)...
IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響
階段2(tl—t2):在t1時(shí)刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過(guò)溝道注入到基區(qū),同時(shí)背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流I...
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