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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

晶閘管與IGBT的性能分析

晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)...

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開關(guān)電源的尖峰干擾是一個復(fù)雜而重要的問題,它主要源于開關(guān)電源內(nèi)部高頻開關(guān)器件的快速通斷過程。這種干擾不僅影響開關(guān)電源本身的性能,還可能對周圍的其他電子設(shè)...

2024-08-19 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT尖峰干擾 2056 0

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2024-08-19 標(biāo)簽:芯片IGBT晶體管 861 0

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2024-08-19 標(biāo)簽:IGBTSiCIGBT模塊 345 0

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新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大...

2024-08-15 標(biāo)簽:二極管IGBT新潔能 585 0

IGBT的控制信號是什么

絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開...

2024-08-14 標(biāo)簽:IGBT控制信號電壓信號 584 0

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

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igbt尖峰吸收電容選型方法

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PIM模塊是什么意思?和IGBT有什么區(qū)別?

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...

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igbt功率管寄生電容怎么測量大小

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igbt在高頻電源的作用有哪些

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對這些作用的分析: 高效率:IG...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT電磁兼容性高頻電源 526 0

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IGBT斬波調(diào)速電機(jī)車是一種采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為功率器件的斬波調(diào)速系統(tǒng),廣泛應(yīng)用于電動汽車、電動叉車、電動觀光車等場合。由于其具有高效率...

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