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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管的常用領(lǐng)域介紹

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管的常用領(lǐng)域介紹

今年以來,國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...

2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體元器件 834 0

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用

逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽(yáng)能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會(huì)...

2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET元器件逆變器 841 0

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在電焊機(jī)中的應(yīng)用

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在電焊機(jī)中的應(yīng)用

IGBT在逆變焊機(jī)中能將逆變電路的直流電變成幾十khz的交流電,經(jīng)過主變壓器降壓后,再經(jīng)過整流濾波獲得平穩(wěn)的直流輸出焊接電流,讓電焊機(jī)的功能得到極大的提...

2023-07-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件電焊機(jī) 2411 0

BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管

BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管

BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動(dòng)兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。

2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 616 0

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。

2023-07-13 標(biāo)簽:仿真器IGBT續(xù)流二極管 879 0

IGBT短路特性

IGBT短路特性

IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。

2023-07-13 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 553 0

IGBT穩(wěn)態(tài)輸出特性及其工作原理

IGBT穩(wěn)態(tài)輸出特性及其工作原理

IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。

2023-07-13 標(biāo)簽:三極管IC設(shè)計(jì)MOS管 1897 0

IGBT開通特性簡(jiǎn)析

IGBT開通特性簡(jiǎn)析

采用TCAD器件仿真和工藝仿真軟件對(duì)芯片進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真、特性仿真、電場(chǎng)分布仿真和工藝仿真。

2023-07-13 標(biāo)簽:振蕩器emiIGBT 1464 0

聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型

聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型

電機(jī)控制器的功率模塊,即IGBT器件和續(xù)流二極管,在開關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗,損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能,表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。

2023-07-12 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 6328 0

電動(dòng)汽車電機(jī)控制器硬件功能安全

電動(dòng)汽車電機(jī)控制器硬件功能安全

純電動(dòng)或混動(dòng)動(dòng)力汽車上的電機(jī)控制器MCU(Motor Control Unit),其主要功能就是將電池的高壓直流電,轉(zhuǎn)換為交流電,來驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)行。

2023-07-12 標(biāo)簽:電池電壓IGBT電機(jī)控制器 2672 1

二極管結(jié)面積的影響

二極管結(jié)面積的影響

階段6(t6—t7):在t6時(shí)刻,VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(s...

2023-07-12 標(biāo)簽:二極管電感器IGBT 675 0

談?wù)劧O管與IGBT少子壽命的影響

談?wù)劧O管與IGBT少子壽命的影響

在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個(gè)開關(guān)過程的波形。

2023-07-12 標(biāo)簽:二極管電感器IGBT 717 0

二極管開關(guān)速度對(duì)雙脈沖測(cè)試條件下IGBT開關(guān)特性的影響

二極管開關(guān)速度對(duì)雙脈沖測(cè)試條件下IGBT開關(guān)特性的影響

階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。

2023-07-12 標(biāo)簽:電感器IGBT續(xù)流二極管 514 0

IGBT雙脈沖測(cè)試仿真過程描述

IGBT雙脈沖測(cè)試仿真過程描述

階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。

2023-07-12 標(biāo)簽:電感器IC設(shè)計(jì)IGBT 1963 0

看完后,搞懂開關(guān)電源設(shè)計(jì)的這些指標(biāo)一點(diǎn)都不難!

中國(guó)一般是220V,由于電網(wǎng)電壓的不穩(wěn)定,很多時(shí)候要求寬電壓輸入,所以會(huì)設(shè)計(jì)成90-270V都能正常工作。通常美國(guó)用電范圍為110-130V,日本用電范...

2023-07-11 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS管 1562 0

90V三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片-PT5619

90V三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片-PT5619

PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ,特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。

2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT三相電機(jī) 787 0

變頻器逆變橋及制動(dòng)回路介紹

變頻器逆變橋及制動(dòng)回路介紹

就變頻器的逆變部分拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也是多種多樣,通常按照輸出側(cè)相對(duì)于直流母線的電平數(shù)量區(qū)分

2023-07-11 標(biāo)簽:二極管變頻器電壓源 2420 0

新能源汽車電機(jī)控制器功率損耗的計(jì)算

新能源汽車電機(jī)控制器功率損耗的計(jì)算

理論計(jì)算模型:主要介紹介紹電機(jī)控制器各器件功率損耗的計(jì)算過程,可用于Matlab仿真建模,從而得知電機(jī)控制器的理論效率值和損耗值。

2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 3650 1

SVPWM原理推導(dǎo)與Mathcad建模控制實(shí)現(xiàn)

SVPWM原理推導(dǎo)與Mathcad建模控制實(shí)現(xiàn)

SVPWM是變流器控制基礎(chǔ),其實(shí)現(xiàn)流程大致為,判斷合成矢量所在扇區(qū),計(jì)算相鄰矢量作用時(shí)間,計(jì)算各橋臂導(dǎo)通時(shí)間,得到各相PWM占空比,更新相應(yīng)寄存器值。

2023-07-10 標(biāo)簽:寄存器IGBTSVPWM 2407 0

如何入手分析PMSM電機(jī)輸出扭矩波動(dòng)和扭矩偏差的現(xiàn)象?

如何入手分析PMSM電機(jī)輸出扭矩波動(dòng)和扭矩偏差的現(xiàn)象?

電驅(qū)產(chǎn)品前期開發(fā)階段,時(shí)常遇到電機(jī)輸出扭矩波動(dòng)或扭矩偏差的現(xiàn)象,甚至在后期客戶裝車時(shí)也會(huì)出現(xiàn)這現(xiàn)象,這就要求現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試人員快速鎖定問題點(diǎn),減少項(xiàng)目技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。

2023-07-10 標(biāo)簽:IGBT電流傳感器PMSM 1951 0

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    SDK
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      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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