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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電力電子控制器PID參數(shù)的幾種調(diào)試方法
電力電子轉(zhuǎn)換器(Power Electronics Converter)指的是主要通過(guò)開關(guān)器件和其他電路的組合將一種形式的電源轉(zhuǎn)化成另外一種形式的電源。
2023-06-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IGBT電源適配器 2676 0
逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸
淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利,產(chǎn)品性能...
選擇適合的IGBT并不能確保產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,但它是打造高品質(zhì)和高競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品的基礎(chǔ)。相信我們的FHF20T60A型號(hào)的IBGT單管可以幫助您鞏固品質(zhì)基礎(chǔ)...
600V、20A型號(hào)參數(shù),樹墻修剪機(jī)電機(jī)IGBT型號(hào)推薦FHF20T60A型號(hào)代換!
樹墻修剪機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路想在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT是非常重要的。市場(chǎng)中FHF20T60A的IGBT單管是優(yōu)質(zhì)代換NCE20TD60BF參...
2023-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電機(jī)IGBT 1059 0
功率半導(dǎo)體(IGBT/MOSFET)在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用
電動(dòng)汽車的電能控制主要是把電從電池輸出到電機(jī)上,怎么隨心所欲地實(shí)現(xiàn)輸出?
2023-05-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 1890 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說(shuō),在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性,它一般用于電場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和Insulated Gate Field Effect (IGBT)史v實(shí)...
2023-05-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT數(shù)字晶體管 1015 0
近年來(lái),功率半導(dǎo)體用戶深刻地意識(shí)到不確定的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來(lái)挑戰(zhàn)相當(dāng)棘手。因此,在設(shè)計(jì)變頻器時(shí),"多元采購(gòu) "一直是用戶的需求。賽米控...
介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過(guò)最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多
SVG是典型的電力電子設(shè)備,由三個(gè)基本功能模塊構(gòu)成:檢測(cè)模塊、控制運(yùn)算模塊及補(bǔ)償輸出模塊。其工作原理為由外部CT檢測(cè)系統(tǒng)的電流信息,然后經(jīng)由控制芯片分析...
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