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igbt

igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開(kāi)發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問(wèn)題呢?

ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開(kāi)發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問(wèn)題呢?

BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點(diǎn)是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的降噪性能和低損耗性能。

2024-04-03 標(biāo)簽:熱敏電阻變頻器IGBT 1162 0

IGBT模塊封裝過(guò)程中的技術(shù)詳解

IGBT模塊封裝過(guò)程中的技術(shù)詳解

IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運(yùn)行過(guò)程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過(guò)程中對(duì)基板上形成開(kāi)裂,造成基板的裂紋;第三是對(duì)...

2024-04-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1136 0

IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來(lái)越...

2024-04-01 標(biāo)簽:變頻器IGBT熱仿真 338 0

電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個(gè)電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。

2024-03-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 2824 0

IGBT模塊封裝過(guò)程中的技術(shù)詳解

IGBT模塊封裝過(guò)程中的技術(shù)詳解

IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...

2024-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1734 0

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的隔離方式與作用

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的隔離方式與作用

  驅(qū)動(dòng)電路要求   o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?,使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)時(shí)間   oIGBT開(kāi)通后,提供足夠的電壓...

2024-03-27 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器 770 0

關(guān)于IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)

關(guān)于IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)

由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫升(即殼溫與環(huán)境溫度的差異)。

2024-03-22 標(biāo)簽:散熱器IGBT功率器件 1.3萬(wàn) 0

淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)

淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)

電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。

2024-03-21 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 2033 0

升華感應(yīng)電源采用逆變PWM調(diào)功控制方案

升華感應(yīng)電源采用逆變PWM調(diào)功控制方案

并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源功率控制方式有三種:整流移相調(diào)壓調(diào)功、直流斬波調(diào)功、逆變PWM調(diào)功。

2024-03-20 標(biāo)簽:二極管PWMIGBT 560 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會(huì)變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問(wèn)題。

2024-03-19 標(biāo)簽:二極管IGBTMOS 6060 0

SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)

SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)

在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):

2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 1724 0

IGBT什么意思?一文詳細(xì)解讀IGBT工作原理

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),變頻器的核心部件

2024-03-18 標(biāo)簽:變頻器IGBT晶體管 1.7萬(wàn) 0

igbt導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件

igbt導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳...

2024-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFETIGBT 5111 0

變頻器igbt工作原理和作用

IGBT的開(kāi)關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時(shí)間。快速的開(kāi)關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過(guò)快的開(kāi)關(guān)速度可能會(huì)增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...

2024-03-18 標(biāo)簽:變頻器PWMIGBT 3932 0

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及功率范圍

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及功率范圍

IGBT 有三個(gè)端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

2024-03-18 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT晶體管 1998 0

探究IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素

探究IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素

IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。

2024-03-15 標(biāo)簽:二極管電流MOSFET 2114 0

IGBT一些主要的分類方法

IGBT一些主要的分類方法

IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件,即可以觸發(fā)導(dǎo)通,也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。

2024-03-14 標(biāo)簽:MOSFET散熱器IGBT 2611 0

水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)

水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)

利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 337 0

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...

2024-03-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 598 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    LM2596
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    光模塊
    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō),光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過(guò)光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    Nexperia
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  • CD4046
    CD4046
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  • COMSOL
    COMSOL
    +關(guān)注
    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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    加速度傳感器
    +關(guān)注
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    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    服務(wù)機(jī)器人
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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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