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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開(kāi)發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問(wèn)題呢?
BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點(diǎn)是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的降噪性能和低損耗性能。
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運(yùn)行過(guò)程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過(guò)程中對(duì)基板上形成開(kāi)裂,造成基板的裂紋;第三是對(duì)...
IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來(lái)越...
電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個(gè)電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。
IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...
2024-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1734 0
驅(qū)動(dòng)電路要求 o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?,使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)時(shí)間 oIGBT開(kāi)通后,提供足夠的電壓...
2024-03-27 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器 770 0
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
升華感應(yīng)電源采用逆變PWM調(diào)功控制方案
并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源功率控制方式有三種:整流移相調(diào)壓調(diào)功、直流斬波調(diào)功、逆變PWM調(diào)功。
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會(huì)變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問(wèn)題。
SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)
在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):
2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 1724 0
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
IGBT的開(kāi)關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時(shí)間。快速的開(kāi)關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過(guò)快的開(kāi)關(guān)速度可能會(huì)增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...
探究IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。
水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 598 0
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