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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)
近日,由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航 共贏未來(lái)”SiC、IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)在揚(yáng)州隆重舉行。
2025-03-07 標(biāo)簽:IGBTSiC揚(yáng)杰科技 362 0
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...
見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFE...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 218 0
電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車(chē)”的戰(zhàn)略選擇:國(guó)產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊
國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢(shì),既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車(chē)”的戰(zhàn)略選擇。
逆變器應(yīng)用中國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管損耗計(jì)算對(duì)比
國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管在125kW儲(chǔ)能變流器逆變損耗計(jì)算對(duì)比以及國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管趨勢(shì)分析: 一、關(guān)鍵參數(shù)提取與對(duì)比 以下為...
華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品
引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM與H...
在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下,新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件,發(fā)揮著不可替代的作用。它究竟是如何助力新能源發(fā)展的呢?今天就...
2025-02-21 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)模塊IGBT 845 0
IGBT的演進(jìn)歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索
一文了解IGBT的前世今生 引言 1、何為IGBT? 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)...
IGBT模塊封裝中環(huán)氧樹(shù)脂技術(shù)的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)探析
一、環(huán)氧樹(shù)脂在IGBT模塊封裝中的應(yīng)用現(xiàn)狀 1. **核心應(yīng)用場(chǎng)景與工藝** ? IGBT模塊封裝中,環(huán)氧樹(shù)脂主要通過(guò)灌封(Potting)和轉(zhuǎn)模成型(...
2025-02-17 標(biāo)簽:封裝IGBT環(huán)氧樹(shù)脂 658 0
華潤(rùn)微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤(rùn)微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會(huì)。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車(chē)規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...
BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì),使其成為電力電子應(yīng)用中的首選,推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...
2025-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電壓 116 0
125KW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
傾佳電子楊茜分析在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)應(yīng)用中,國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)模塊全面取代傳統(tǒng)老舊IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下方面: ? 傾...
2025-02-11 標(biāo)簽:IGBTSiC儲(chǔ)能變流器 160 0
逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計(jì)算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機(jī)應(yīng)用為例做國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比
傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳...
光伏MPPT設(shè)計(jì)中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對(duì)比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)設(shè)計(jì)中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
碳化硅MOSFET相對(duì)IGBT為什么可以壓榨更多應(yīng)用潛力?
碳化硅(SiC)MOSFET相較于傳統(tǒng)IGBT能夠釋放更多潛力的核心原因在于其材料特性與器件物理的革新,具體體現(xiàn)在高頻高效、高溫耐受、低損耗設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)...
儲(chǔ)能變流器PCS中碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊
在儲(chǔ)能變流器(PCS)中,碳化硅(SiC)功率模塊全面取代傳統(tǒng)IGBT模塊的趨勢(shì)主要源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、成本效益以及系統(tǒng)級(jí)性能提升。SiC模塊在PCS...
2025-02-05 標(biāo)簽:IGBT儲(chǔ)能功率半導(dǎo)體 279 0
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案 BASiC基本公司針對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯...
廣電計(jì)量入選2025年無(wú)錫市場(chǎng)景清單
近日,無(wú)錫市委市政府召開(kāi)無(wú)錫市場(chǎng)景創(chuàng)新大會(huì),發(fā)布《2025年無(wú)錫市場(chǎng)景清單(第一批)》,包括30個(gè)場(chǎng)景機(jī)會(huì)和90個(gè)場(chǎng)景能力。無(wú)錫廣電計(jì)量申報(bào)的“MOSF...
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