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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2829個 瀏覽：249384次 帖子：479個

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      揚杰科技兩個產品獲得江蘇省重點創(chuàng)新項目支持計劃

      揚杰科技再創(chuàng)輝煌，其“高壓大功率IGBT”產品成功入選省重點推廣應用的新技術新產品目錄。這一突破性的成就彰顯了揚杰科技在電力電子領域的領先地位。

      2024-01-15 標簽：芯片IGBT揚杰科技 609 0

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