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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2829個 瀏覽：249384次 帖子：479個

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      2023-12-24 標簽：控制系統IGBTSiC 1402 0

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      根 據 Yole 數據，2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業，合計占 據 93%的市場份額，其中意法半導體依靠與特斯拉的合作占據全球 4...

      2023-12-22 標簽：新能源汽車IGBTSiC 757 0

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      英飛凌（Infineon）作為世界半導體產業發展的先行者和引領者，一直致力于打造先進的產品和全面的系統解決方案，為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、...

      2023-12-20 標簽：英飛凌MOS管IGBT 841 0

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      電磁加熱器IGBT溫度傳感器異常解決方法? 電磁加熱器是一種常見的加熱設備，通過電磁感應產生的磁感應力使爐內的金屬材料發熱。然而，在使用過程中，有時候會...

      2023-12-19 標簽：溫度傳感器IGBT電磁加熱器 2245 0

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      PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊

      2023-12-14 標簽：MOSFETIGBTSiC 639 0

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