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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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JSAB瑞出應(yīng)用于乘用車電驅(qū)的750V-340A IGBT
產(chǎn)品特點(diǎn) ● 第7代溝槽-場(chǎng)截止設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)更低的VCE(sat) ● 低開關(guān)損耗 ● 最高結(jié)溫175℃ ● 采用Si3N4絕緣襯...
2023-12-07 標(biāo)簽:IGBT伺服驅(qū)動(dòng)工業(yè)電機(jī) 745 0
長(zhǎng)城11月銷售汽車12.28萬輛,同比增長(zhǎng)40.3%
從品牌來看,哈弗品牌11月銷量為75,012輛,同比增長(zhǎng)39.11%;今年的屢次銷量為649,610輛,同比增長(zhǎng)13.52%。wey品牌11月份銷量為2...
2023-12-06 標(biāo)簽:IGBT哈弗長(zhǎng)城汽車 552 0
季豐電子新增功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試方法
季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測(cè)試儀DPT1000A和Edison,分別覆蓋功率單管和模塊。
一輛汽車需要的芯片種類至少有40種,主要可分為功能芯片、功率半導(dǎo)體和傳感器,包括自動(dòng)駕駛AI芯片、MCU、IGBT功率器件以及用于自動(dòng)駕駛感知系統(tǒng)的一系列芯片。
汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變,碳化硅是否隨著更改?
汽車一直是碳化硅(SiC)的主要應(yīng)用市場(chǎng)。在整個(gè)汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下,碳化硅是否還會(huì)延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場(chǎng)行情?
新能源汽車逆變壓器之核芯——IGBT工作原理動(dòng)圖
MOS管有NPN型和PNP型,被稱為N溝道MOS管和P溝道MOS管。和二極管相同,MOS管的N部分、P部分交界處也會(huì)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng),阻止電子擴(kuò)散,此時(shí)沒有電流。
中國(guó)大陸企業(yè)轉(zhuǎn)向12英寸晶圓和IGBT晶體管
士蘭微、華潤(rùn)微等公司已經(jīng)開始批量生產(chǎn)igbt, igbt事業(yè)正在迅速成長(zhǎng)。聞泰科技還在進(jìn)軍igbt領(lǐng)域。特別是從2023年1月開始到7月為止,共17件i...
SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對(duì)比
在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場(chǎng)和較低的損耗特性,逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前,它們主要用于以絕緣柵雙極晶...
2023年11月28日,由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo),由北京經(jīng)開區(qū)管委會(huì)主辦,蓋世汽車承辦,國(guó)家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持的“芯...
作為功率半導(dǎo)體器件的重要成員,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)以其卓越的開關(guān)能力和放大特性,在眾多家用電器設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的角色,有效提升能效和性能。...
絕對(duì)最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值
絕對(duì)最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值 絕對(duì)最大額定值是指在任何工作條件下,設(shè)備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數(shù)的界限值。IGB...
車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體IGBT對(duì)比
國(guó)內(nèi)各家(英飛凌、安森美)車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對(duì)比情況車載IGBT分為幾個(gè)層級(jí),主要分為A0/A00級(jí)以下,A級(jí)車,還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?..
2023-11-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率半導(dǎo)體 1263 0
理解IGBT與MOSFET的性能差異,會(huì)幫助工程師在功率需求、開關(guān)速度、成本考慮以及特定應(yīng)用的適性等多個(gè)因素之間做出折衷并選擇最合適的元件。這將使得工程...
IGBT的失效模式與失效機(jī)理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件...
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二:IGBT短路時(shí)的損耗
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二:IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT損耗功率半導(dǎo)體 693 0
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