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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業 IGBT選型

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近日，「忱芯科技（UniSiC）」宣布完成億元戰略融資，本輪融資由火山石投資、華潤旗下潤科基金、老股東武岳峰科創聯合投資，融資資金將主要用于忱芯科技前瞻...

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與目前廣泛使用的Si材料相比，KeepTops的碳化硅材料具有更高的導熱性，這決定了其高電流密度特性；其更高的帶隙寬度決定了SiC器件的高擊穿場強和高工...

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IGBT 通常不用于變頻器整流器前端。變頻器整流器通常使用 SCR 或類似的較慢開關組件。SCR 的優勢在于，其設計更簡單，在輸入電壓質量可變的情況下更...

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