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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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模擬芯片的庫存方面,報告預測將在2023年第二季度強勁優化。由于需求旺盛,分立芯片的短缺將持續;MCU庫存指數在2023年第一季度進入正常區間。
IGBT產品預計2026年全球市場規模約84億美元,年復合增長率7.5%
全球市場競爭格局方面,國外生產商憑借其在半導體行業的技術領先優勢,占據全球功率器件驅動器主要市場。根據Yole數據,2021年,全球前五名驅動IC生產商...
IGBT不再“Made in Germany”?中國企業挑戰世界級品牌!
除了比亞迪、斯達半導和中車時代電氣,還有擁有國內第一條全內資8英寸專注功率器件晶圓生產線的華潤微;全球首家提供場截止型絕緣柵雙極型晶體管(FS IGBT...
數明半導體高壓、高速MOSFET/IGBT 驅動器通過AEC-Q100認證
為滿足汽車市場對產品可靠性和安全性的需求,數明半導體近期推出車規級高壓、高速MOSFET/IGBT驅動芯片SiLM21814-AQ,該產品通過AEC-Q...
2023年中國新型功率半導體器件(IGBT)產業鏈上中下游市場分析
IGBT作為一種新型功率半導體器件,是工業控制及自動化領域的核心元器件,其作用類似于人類的心臟,能夠根據裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、...
IGBT技術在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創新。新一代IGBT產品在提高開關速度、降低開關損耗、增強耐壓能力等方面取得了顯著進展,提高了系統效...
士蘭微電子推出高性能汽車驅動模塊—600A/1200V IGBT模塊
隨著人們對環保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續航里程短等問題仍...
Infineon IM828最小巧、最緊湊高性能1200V碳化硅IPM的暖通方案
它針對工業應用進行了優化,例如供暖通風空調(HVAC),風扇電機,泵和電機驅動器的功率因數校正。采用先進的電機控制引擎 (MCE),無需任何編碼即可實現...
Microchip 碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動技術助力實現“萬物電氣化”
改用 1700V MOSFET 后,SiC 技術的功率轉換優勢已經擴展到電動商用和重型車輛以 及輕軌牽引和輔助動力領域。這類器件支持現今和未來的汽車動力...
1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針...
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