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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2829個 瀏覽：249366次 帖子：479個

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      近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業的廣泛關注，特別是風力發電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結溫變化為衡量目標的功率循環曲線和基板...

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      陸芯Gen2 IGBT產品通過AEC-Q101認證

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      2023-06-19 標簽：智能電網IGBT陸芯科技 675 0

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      　到2030年，汽車電源市場（包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導體）的收入預計將達到266億美元，幾乎是今年收入的兩倍。未來五年，車用功率芯片市...

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      1200V氮化鎵挑戰SiC是否真的可行？

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      2023-06-15 標簽：電動汽車IGBT驅動系統 752 0

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      2023-06-13 標簽：CMOS半導體IGBT 1313 0

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      如何看待中國前五個月芯片進口下降20%？

      根據官方海關數據，中國的芯片進口在 2023 年前五個月下降了近 20%，原因是在地緣政治摩擦愈演愈烈的情況下，中國與韓國和日本的貿易萎縮。

      2023-06-09 標簽：處理器MOSFETIGBT 1595 0

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