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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn)

igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn) 在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,...

2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 1837 0

賽米控丹佛斯推出基于羅姆的1200V IGBT的功率模塊

隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度,相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模急劇擴(kuò)大,幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。

2023-05-10 標(biāo)簽:IGBT功率模塊羅姆 503 0

SCT51240—單通道下管IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于功率MOSFET,IGBT和寬禁帶器件,例如氮化鎵功率器件等驅(qū)動(dòng)。 提供高達(dá)...

2023-05-05 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 415 0

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯(總部位于德國(guó)紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市) 在開發(fā)SiC(碳化硅) 功率模塊方面,已有十多年的良好合作關(guān)系。此次...

2023-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率模塊 823 14

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作 賽米控丹佛斯(總部位于德國(guó)紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)在開發(fā)SiC(...

2023-04-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 941 0

車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體之爭(zhēng)中,國(guó)產(chǎn)IGBT大廠搶占未來三年

新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中電機(jī)控制器最廣泛的解決方案是采用IGBT。多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起,形成一個(gè)IGBT模塊,具有更高的功率和更強(qiáng)的散熱能力。

2023-04-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT電機(jī)控制器 2623 0

中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的現(xiàn)狀與趨勢(shì)

半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域也同樣如此,最近二十年周期性正在減弱,得益于各類電子終端的芯片需求,智能化,網(wǎng)聯(lián)化,AIOT 的發(fā)展,行業(yè)規(guī)模連續(xù)四年大幅增長(zhǎng)。

2023-04-13 標(biāo)簽:mcuIGBT半導(dǎo)體設(shè)備 3704 0

高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,讓電機(jī)控制更高效

高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,讓電機(jī)控制更高效

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,是集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體的高科技企業(yè),“Slkor”品牌被廣大同行和客戶接受,是國(guó)內(nèi)快速穩(wěn)健發(fā)展的半導(dǎo)體企業(yè)之一...

2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制 1681 0

薩科微slkor宋仕強(qiáng):推動(dòng)IGBT市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素

薩科微slkor宋仕強(qiáng):推動(dòng)IGBT市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素

薩科微slkor(www.slkoric.com)半導(dǎo)體總經(jīng)理宋仕強(qiáng)介紹,家電節(jié)能、電機(jī)節(jié)能與新能源等領(lǐng)域,成為推動(dòng)我國(guó)IGBT 市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素。...

2023-04-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT國(guó)產(chǎn)芯片 1361 0

IGBT深度報(bào)告:新能源發(fā)展的核心部件

全球范圍內(nèi)來看,工控和新能源汽車是IGBT需求占比最大的兩個(gè)下游領(lǐng)域。分下游需求來看(2017年數(shù)據(jù)),工控是IGBT目前最大的需求市場(chǎng),需求占比達(dá)到3...

2023-04-06 標(biāo)簽:新能源整流器IGBT 3180 0

飛虹電子微型逆變器的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)IGBT選擇方案

因?yàn)槿珮蛲負(fù)浣Y(jié)構(gòu)是微型逆變器中一種非常重要的電路結(jié)構(gòu),能夠提高電路效率、改善輸出波形、實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)節(jié)和增強(qiáng)電路的抗干擾能力,為微型逆變器的性能提升和應(yīng)...

2023-04-05 標(biāo)簽:逆變器IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 1173 0

薩科微slkor技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹IGBT系列產(chǎn)品

薩科微slkor技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹IGBT系列產(chǎn)品

薩科微slkor半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹說,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體...

2023-04-03 標(biāo)簽:MOSFET封裝IGBT 810 0

車市芯片砍單潮持續(xù) 車用IGBT成唯一例外

但縱觀各類車用電子元器件,目前僅IGBT仍維持景氣度。那IGBT為何成為唯一的例外呢?原因之一可能是因?yàn)樘厮估靶紝⒋罂程蓟栌昧?5%。

2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT新能源車汽車芯片 494 0

IGBT全球缺貨成香餑餑,對(duì)從業(yè)者來說是紅利期到了嗎?

IGBT技術(shù)路線、發(fā)展機(jī)遇詳解

2023-03-28 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1527 0

羅氏線圈cp9030s的產(chǎn)品特性及其應(yīng)用

羅氏線圈cp9030s的產(chǎn)品特性及其應(yīng)用

CP9000(S/L)系列柔性電流探頭是僅測(cè)試AC電流信號(hào)的探頭具有高帶寬,高精度(典型值2%)等特點(diǎn)。可以實(shí)現(xiàn)寬廣的電流測(cè)量范圍,頻率可從幾Hz到數(shù)+...

2023-03-27 標(biāo)簽:IGBT探頭羅氏線圈 1245 0

未來五年SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到60億美元

全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長(zhǎng)兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence...

2023-03-27 標(biāo)簽:晶圓IGBTSiC 681 0

整理了關(guān)于國(guó)內(nèi)IGBT的情況

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)IGBT,并了解目前國(guó)內(nèi)IGBT的情況

2023-03-26 標(biāo)簽:電壓IGBT 2322 0

淺談國(guó)產(chǎn)化IGBT的未來前景

自2020年汽車缺芯以來,汽車芯片結(jié)構(gòu)性缺芯愈發(fā)明顯,IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴(kuò)產(chǎn)的最大掣肘。

2023-03-23 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體中央處理器 944 0

GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破

氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。

2023-03-20 標(biāo)簽:IGBT氮化鎵GaN 1006 0

東芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB

東芝在其新款I(lǐng)GBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低開關(guān)損耗(關(guān)斷損耗),與東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50...

2023-03-17 標(biāo)簽:東芝IGBT 580 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào),它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度(稱為“步距角”),它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量,從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的;同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度,從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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  • CD4046
    CD4046
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    COMSOL
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    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    SDK
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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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